[发明专利]OLED触控显示屏的制作方法

权利要求书

1.一种OLED触控显示屏的制作方法，所述OLED触控显示屏包括位于中部的像素区及位于所述像素区外侧的绑定区，其特征在于，该方法包括如下步骤：

步骤S1、提供一衬底基板(90)，在所述衬底基板(90)上依次形成TFT层(10)及OLED发光层(20)；

步骤S2、在所述OLED发光层(20)上沉积形成第一绝缘层(31)；

步骤S3、在所述第一绝缘层(31)上沉积并图案化形成桥点层(32)；

步骤S4、在所述桥点层(32)及第一绝缘层(31)上沉积形成第二绝缘层(33)，在所述第二绝缘层(33)上涂布光阻材料，对该光阻材料进行曝光、显影，得到光阻层(70)；

步骤S5、以所述光阻层(70)为遮蔽层，对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)进行干法蚀刻，以在像素区内对应于所述桥点层(32)上方形成贯穿第二绝缘层(33)的第一接触孔(301)及在所述绑定区内形成贯穿所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)的第二接触孔(302)，该干法蚀刻过程具体为，首先通过第一蚀刻气体对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)进行蚀刻至形成第一接触孔(301)或者所述光阻层(70)所露出的第二绝缘层(33)的厚度小于然后通过第二蚀刻气体对所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)继续进行蚀刻至第一接触孔(301)和第二接触孔(302)均形成，其中，所述第二蚀刻气体对第一绝缘层(31)和桥点层(32)的蚀刻选择比大于5；

步骤S6、在所述第二绝缘层(33)上沉积并图案化形成电极线路层(34)；

步骤S7、在所述电极线路层(34)及第二绝缘层(33)上形成保护层(35)；

所述步骤S5中，所述第一蚀刻气体对所述第二绝缘层(33)的蚀刻速率大于所述第二蚀刻气体对第一绝缘层(31)和桥点层(32)的蚀刻选择比大于第一蚀刻气体对第一绝缘层(31)和桥点层(32)的蚀刻选择比。

2.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述第一蚀刻气体包含六氟化硫和氧气。

3.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S5中，所述第二蚀刻气体包含三氯甲烷。

4.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层(31)和第二绝缘层(33)的材料均为氮化硅。

5.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S1中，所述TFT层(10)包括源漏极电极层(11)，所述源漏极电极层(11)包括位于绑定区内的触控引线(111)；

所述步骤S3中，所述桥点层(32)包括位于像素区内的多个金属桥(321)；

所述步骤S6中，所述电极线路层(34)包括至少两条第一电极(341)、至少一条第二电极(342)及多条第三电极(343)，其中所述第一电极(341)通过所述第一接触孔(301)与所述金属桥(321)连接，所述第三电极(343)通过所述第二接触孔(302)与绑定区内的触控引线(111)连接。

6.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S3中图案化形成桥点层(32)的具体过程包括依次进行的光阻涂布步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤、去光阻步骤，其中，图案化形成桥点层(32)的蚀刻步骤采用干法蚀刻进行。

7.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S6中图案化形成电极线路层(34)的具体过程包括依次进行的光阻涂布步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤、去光阻步骤，其中，图案化形成电极线路层(34)的蚀刻步骤采用干法蚀刻进行。

8.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，所述保护层(35)的材料为无机材料，形成所述保护层(35)的具体过程包括依次进行的沉积无机材料膜步骤、光阻涂布步骤、曝光步骤、显影步骤、蚀刻步骤、去光阻步骤，其中，形成保护层(35)的蚀刻步骤采用干法蚀刻进行。

9.如权利要求1所述的OLED触控显示屏的制作方法，其特征在于，所述步骤S7中，所述保护层(35)的材料为有机材料，形成所述保护层(35)的具体过程包括依次进行的有机材料涂布步骤、曝光步骤及显影步骤。