[发明专利]存储单元的制备方法及其存储单元

摘要

公开了一种存储单元的制备方法及其存储单元，方法包括提供基底，基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，沿着鳍片层的排列方向在基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，沿着鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除锗化硅隔层以形成气隙，第二槽道侧壁上形成存储层，去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图案层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。

主权项

1.一种存储单元的制备方法，其包括如下步骤：提供基底，所述基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，每个鳍片层具有第一高度，沿着所述鳍片层的排列方向在所述基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，其中，锗化硅层经由印刷形成预定图像，沿着所述鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在所述第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在所述锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除所述锗化硅隔层以形成气隙，在所述锗鳍片层之外的绝缘层、氮化硅层和锗化硅层上形成多个第二槽道，所述第二槽道侧壁上形成存储层，去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图案层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。