[发明专利]存储单元的制备方法及其存储单元

权利要求书

1.一种存储单元的制备方法，其包括如下步骤：

提供基底，所述基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，每个鳍片层具有第一高度，

沿着所述鳍片层的排列方向在所述基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，其中，锗化硅层经由印刷形成预定图像，

沿着所述鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在所述第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在所述锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除所述锗化硅隔层以形成气隙，

在所述鳍片层之外的绝缘层、氮化硅层和锗化硅层上形成多个第二槽道，所述第二槽道侧壁上形成存储层，

去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，

在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图像层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。

2.如权利要求1所述的方法，其中，覆盖所述鳍片层的所述氮化硅层的第二高度大于设置在所述鳍片层之间所述氮化硅层的第三高度，以及覆盖所述鳍片层的所述锗化硅层的第四高度大于设置在所述鳍片层之间的所述锗化硅层的第五高度。

3.如权利要求1所述的方法，其中，多个鳍片层具有不同的第一高度，多个鳍片层上层叠的氮化硅层和锗化硅层的层数不同。

4.如权利要求1所述的方法，其中，沿着所述鳍片层的排列方向的氮化硅层和锗化硅层长度不同，大致垂直基底的端部呈阶梯状。

5.如权利要求1所述的方法，其中，通过CF₄气体刻蚀形成第一槽道，刻蚀压强为50-70毫托，所述气隙的宽度正相关于所述锗化硅隔层的厚度。

6.如权利要求1所述的方法，其中，湿法刻蚀的刻蚀溶液为质量比1:400-1:500的氢溴酸和去离子水的混合溶液。

7.如权利要求1所述的方法，其中，第二槽道包括矩形槽道或圆形槽道，部分第二槽道中填充多晶硅。

8.权利要求1所述的方法，其中，存储层上设置阻隔层。

9.如权利要求2所述的方法，其中，所述第三高度和/或第五高度大于第一高度，所述第四高度大于所述第二高度。

10.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元经由权利要求1-9中任一项所述的方法制备。