[发明专利]存储单元的制备方法及其存储单元

说明书

公开了一种存储单元的制备方法及其存储单元，方法包括提供基底，基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，沿着鳍片层的排列方向在基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，沿着鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除锗化硅隔层以形成气隙，第二槽道侧壁上形成存储层，去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图案层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。

技术领域

本发明涉及存储设备技术领域，特别是一种存储单元的制备方法及其存储单元。

背景技术

目前对于减小存储设备的尺寸和制造更小的结构，存在着强烈的发展势头。存储设备尺寸的减小通常允许存储设备更便宜，性能更高，功耗降低且给定尺寸内包括更多的元件。

通常，存储设备的制备需要几个常常必须彼此以接近或甚至超过最小特征尺寸的精度对准的图像层。现有技术中，在辊对辊环境中，基底平整性差，由于景深限制和其它光学象差而引起能够进行光学对准的精度方面的困难。一个图形化层相对于下一个的这些收缩或膨胀，可能使大面积的对准成为不可能为了改善存储器件的密度。为了改善存储器件的密度，随着存储设备的存储器单元尺寸持续缩减，信号冲突和干扰会显著增大以及随着存储设备尺寸越来越小，相邻的金属层之间的距离变得越来越小，导致相邻金属层间产生的电容越来越大，不仅影响存储单元的运行速度，也对存储单元的可靠性有严重影响，此外，还存在导电端子难以达到导电层，其连接的工艺的难度增加，可靠性差等问题。

在背景技术部分中公开的上述信息仅仅用于增强对本发明背景的理解，因此可能包含不构成在本国中本领域普通技术人员公知的现有技术的信息。

发明内容

鉴于上述问题，本发明提供一种存储单元的制备方法及存储单元，本发明的制备方法能够精确印刷定位形成导电图像层，提高印制备精度，通过鳍片层、氮化硅层、锗化硅层的高度配合使得端子更容易连接导电图像层，降低连接工艺难度，提高可靠性，外延形成锗化硅隔层，在所述锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，避免残留空气气泡，且通过湿法刻蚀去除所述锗化硅隔层以形成气隙，显著减小存储单元的有效k值，改善存储单元的电阻电容延迟差，提高存储单元的运行速度，具有优良的稳定性能。

本发明的目的是通过以下技术方案予以实现。

一种存储单元的制备方法包括如下步骤：

提供基底，所述基底在预定压力下外延多个间隔排列的鳍片层，每个鳍片层具有第一高度，

沿着所述鳍片层的排列方向在所述基底上交替地层叠氮化硅层和锗化硅层，且最上方的氮化硅层形成绝缘层，其中，锗化硅层经由印刷形成预定图像，

沿着所述鳍片层的排列方向在绝缘层、氮化硅层、锗化硅层和基底中形成第一槽道，在所述第一槽道侧壁上外延形成锗化硅隔层，在所述锗化硅隔层之间电化学镀膜形成金属层，湿法刻蚀去除所述锗化硅隔层以形成气隙，

在所述锗鳍片层之外的绝缘层、氮化硅层和锗化硅层上形成第二槽道，所述第二槽道侧壁上形成存储层，

去除所述锗化硅层且经由导电材料填充形成预定导电图像层，

在鳍片层上方的绝缘层、氮化硅层与预定导电图像层上打孔形成连接所述预定导电图案层的端子孔，金属端子形成于所述端子孔中。

在所述的方法中，覆盖所述鳍片层的所述氮化硅层的第二高度大于设置在所述鳍片层之间所述氮化硅层的第三高度，以及覆盖所述鳍片层的所述锗化硅层的第四高度大于设置在所述鳍片层之间的所述锗化硅层的第五高度。

在所述的方法中，多个鳍片层具有不同的第一高度，多个鳍片层上层叠的氮化硅层和锗化硅层的层数不同。