[发明专利]半导体器件及其形成方法有效
| 申请号： | 201811359454.2 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109473436B | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 陈俊;朱继锋;华子群 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣;吴敏 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 一种半导体器件及其形成方法，其中，形成方法包括：形成第一器件，所述第一器件的形成方法包括：提供第一基底；在所述第一基底表面形成第一层叠层和第一存储结构，所述第一存储结构贯穿第一层叠层；形成第二器件，所述第二器件的形成方法包括：提供第二基底；在所述第二基底的表面形成第二层叠层和第二存储结构，所述第二存储结构贯穿第二层叠层；使第一器件与第二器件键合，且第二层叠层表面与第一层叠层表面对应。利用所述方法能够减少半导体器件的弯曲，提高半导体器件的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：形成第一器件，所述第一器件的形成方法包括：提供第一基底；在所述第一基底表面形成第一层叠层和第一存储结构，所述第一存储结构贯穿所述第一层叠层；形成第二器件，所述第二器件的形成方法包括：提供第二基底；在所述第二基底表面形成第二层叠层和第二存储结构，所述第二存储结构贯穿所述第二层叠层；使第一器件与第二器件键合，且所述第二层叠层表面与第一层叠层表面对应。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
