[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

形成第一器件，所述第一器件的形成方法包括：提供第一基底；在所述第一基底表面形成第一层叠层和第一存储结构，所述第一存储结构贯穿所述第一层叠层，所述第一层叠层包括交替堆叠的第一绝缘层和第一牺牲层；

形成第二器件，所述第二器件的形成方法包括：提供第二基底；在所述第二基底表面形成第二层叠层和第二存储结构，所述第二存储结构贯穿所述第二层叠层，所述第二层叠层包括交替堆叠的第二绝缘层和第二牺牲层；

使第一器件与第二器件键合，且所述第二层叠层表面与第一层叠层表面对应。

2.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一存储结构包括第一存储层和位于第一存储层表面的第一沟道层；所述第二存储结构包括第二存储层和位于第二存储层表面的第二沟道层。

3.如权利要求2所述的半导体器件的形成方法，所述第一存储层与第二存储层对应接触，且第一沟道层与第二沟道层对应接触。

4.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使第一器件与第二器件键合之前，还包括：在所述第一层叠层表面形成第一键合界面层；在所述第二层叠层表面形成第二键合界面层。

5.如权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，形成所述第一键合界面层之后，使第一器件与第二器件键合之前，形成第一存储结构；形成所述第二键合界面层之后，第一器件与第二器件键合之前，形成第二存储结构。

6.如权利要求5所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使第一器件与第二器件键合的方法包括：使第一键合界面层和第二键合界面层互相接触，第一存储结构和第二存储结构互相接触。

7.如权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，使第一器件与第二器件键合之后，用控制栅替换所述第一牺牲层和所述第二牺牲层。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括：

第一器件，所述第一器件包括：第一基底；位于所述第一基底表面的第一层叠层和第一存储结构，所述第一存储结构贯穿第一层叠层，所述第一层叠层包括交替堆叠的第一绝缘层和第一牺牲层；

位于所述第一层叠层和第一存储结构表面的第二器件，所述第二器件包括：第二基底；位于所述第二基底表面的第二层叠层和第二存储结构，所述第二存储结构贯穿所述第二层叠层，所述第二层叠层包括交替堆叠的第二绝缘层和第二牺牲层，所述第二存储结构与第一存储结构接触。

9.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述第一存储结构包括第一存储层和位于第一存储层表面的第一沟道层；所述第二存储结构包括第二存储层和位于第二存储层表面的第二沟道层。

10.如权利要求8所述的半导体器件，其特征在于，所述半导体器件还包括：位于所述第一层叠层表面的第一键合界面层；位于所述第二层叠层表面的第二键合界面层，且所述第二键合界面层与第一键合界面层接触。