[发明专利]集成电路器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201811358190.9 | 申请日： | 2018-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN109801912A | 公开（公告）日： | 2019-05-24 |
| 发明（设计）人： | 任廷爀;黄国泰;金完敦;玄尚镇 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/088 | 分类号： | H01L27/088;H01L21/768;H01L23/522;H01L23/528;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种集成电路(IC)器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，栅极结构在垂直于第一方向并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区之一，第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞以及围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极结构 衬底 鳍型有源区 第一材料 接触插塞 接触结构 晶格常数 漏极区 润湿层 源极区 集成电路器件 第二材料 电连接 顶表面 延伸 集成电路 平行 垂直 制造 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路器件，包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在所述衬底上与所述鳍型有源区交叉，所述栅极结构在与所述第一方向垂直并平行于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在所述栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到所述源极区和所述漏极区中的一个，所述第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕所述第一接触插塞的第一润湿层，所述第一润湿层包括具有与所述第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
