[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；

栅极结构，在所述衬底上与所述鳍型有源区交叉，所述栅极结构在与所述第一方向垂直并平行于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；

源极区和漏极区，在所述栅极结构的两侧；以及

第一接触结构，电连接到所述源极区和所述漏极区中的一个，所述第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕所述第一接触插塞的第一润湿层，所述第一润湿层包括具有与所述第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一材料包括钴(Co)、镍(Ni)、钌(Ru)、铜(Cu)、铝(Al)、其硅化物或其合金，

所述第二材料包括钴氮化物(Co₄N)、锌氮化物(ZnN)、锌氧化物(ZnO)、铝氮化物(AlN)和镓氮化物(GaN)中的至少一种。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述栅极结构的两侧的栅极间电介质层，

其中所述第一润湿层与所述栅极间电介质层接触。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一接触结构还包括围绕所述第一润湿层的第一导电的阻挡层，所述第一导电的阻挡层包括钛氮化物(TiN)。

5.根据权利要求4所述的集成电路器件，还包括在所述栅极结构的两侧的栅极间电介质层，

其中所述第一导电的阻挡层与所述栅极间电介质层接触。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述栅极结构包括跨越所述鳍型有源区在所述第二方向上延伸的栅电极和在所述栅电极的两侧的栅极间隔物，

其中所述第一润湿层与所述栅极间隔物接触。

7.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括在所述栅极结构上的第二接触结构，所述第二接触结构电连接到所述栅极结构，所述第二接触结构包括包含所述第一材料的第二接触插塞和围绕所述第二接触插塞的第二润湿层，所述第二润湿层包括所述第二材料。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中所述第二接触结构还包括围绕所述第二润湿层的第二导电的阻挡层，所述第二导电的阻挡层包括TiN。

9.一种集成电路器件，包括：

衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；

栅极结构，在所述衬底上与所述鳍型有源区交叉，所述栅极结构在与所述第一方向垂直并平行于所述衬底的顶表面的第二方向上延伸；

源极区和漏极区，在所述栅极结构的两侧；以及

第一接触结构，电连接到所述源极区和所述漏极区中的一个，所述第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕所述第一接触插塞的第一润湿层，所述第一润湿层包括第三材料和第四材料中的至少一种，

其中所述第三材料包括非晶金属或非晶金属氮化物，

所述第四材料包括超导体金属或超导体金属氮化物。

10.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述第一材料包括钴(Co)、镍(Ni)、钌(Ru)、铜(Cu)、铝(Al)、其硅化物或其合金，

所述第三材料包括钨氮化物(WN)、钨碳氮化物(WCN)和钛钴(TiCo)中的至少一种，并且

所述第四材料包括铝化铌(Nb₃Al)、铌氮化物(NbN)和钛钴(Ti₂Co)中的至少一种。

11.根据权利要求9所述的集成电路器件，还包括在所述栅极结构的两个侧壁上的栅极间电介质层，

其中所述第一润湿层与所述栅极间电介质层接触。

12.根据权利要求9所述的集成电路器件，其中所述第一接触结构还包括围绕所述第一润湿层的第一导电的阻挡层，所述第一导电的阻挡层包括TiN。