[发明专利]集成电路器件及其制造方法

说明书

一种集成电路(IC)器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，栅极结构在垂直于第一方向并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区之一，第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞以及围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。

技术领域

本发明构思涉及一种集成电路(IC)器件及其制造方法，更具体地，涉及包括鳍型有源区的IC器件及其制造方法。

背景技术

随着电子产品变得越来越轻、越来越薄、越来越简单和/或越来越小的增长的趋势，对IC器件的高集成的需求已经不断增加。随着IC器件的按比例缩小，会发生晶体管的短沟道效应(SCE)，从而降低IC器件的可靠性。已经提出了包括鳍型有源区的IC器件以减少SCE。然而，随着设计规则的减小，提供到鳍型有源区的电连接的接触结构的尺寸也减小。

发明内容

本发明构思提供一种具有接触结构的集成电路(IC)器件，该接触结构具有减小的尺寸和/或提供更可靠的电连接。

根据本发明构思的一方面，提供一种IC器件，该IC器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，该栅极结构在与第一方向垂直并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在该栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区中的一个，第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的第二材料。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，该IC器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，该栅极结构在与第一方向垂直并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；以及第一接触结构，电连接到源极区和漏极区中的一个，该第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括第三材料和第四材料中的至少一种。第三材料包括非晶金属或非晶金属氮化物，第四材料包括超导体金属或超导体金属氮化物。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种IC器件，该IC器件包括：衬底，具有在第一方向上延伸的鳍型有源区；栅极结构，在衬底上与鳍型有源区交叉，该栅极结构在与第一方向垂直并平行于衬底的顶表面的第二方向上延伸；源极区和漏极区，在栅极结构的两侧；第一接触结构，电连接到源极区和漏极区中的一个，该第一接触结构包括包含第一材料的第一接触插塞和围绕第一接触插塞的第一润湿层，第一润湿层包括第二材料、第三材料和第四材料中的至少一种；以及第二接触结构，在栅极结构上，该第二接触结构电连接到栅极结构，该第二接触结构包括包含第一材料的第二接触插塞和围绕第二接触插塞的第二润湿层，第二润湿层包括第二材料、第三材料和第四材料中的至少一种。第二材料包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的金属氧化物或金属氮化物。第三材料包括非晶金属或非晶金属氮化物。第四材料包括超导体金属或超导体金属氮化物。

根据本发明构思的另一方面，提供了一种制造IC器件的方法。该方法包括：在衬底上形成鳍型有源区，该鳍型有源区在第一方向上延伸；在衬底上形成栅极结构，该栅极结构与鳍型有源区交叉；在栅极结构的两侧的鳍型有源区中形成源极区和漏极区；在栅极结构的两侧形成栅极间电介质层以覆盖源极区和漏极区；去除栅极间电介质层的一部分以形成暴露源极区和漏极区的顶表面的第一接触孔；通过使用第二材料、第三材料和第四材料中的至少一种在第一接触孔的内壁上形成第一润湿层；以及通过使用第一材料在第一润湿层上形成第一接触插塞，第一接触插塞填充第一接触孔的剩余部分。第二材料包括具有与第一材料的晶格常数相差约10％或更小的晶格常数的金属氧化物或金属氮化物。第三材料包括非晶金属或非晶金属氮化物。第四材料包括超导体金属或超导体金属氮化物。

附图说明