[发明专利]基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法在审
| 申请号： | 201811348962.0 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109599437A | 公开（公告）日： | 2019-04-09 |
| 发明（设计）人： | 张雅超;苏凯;张进成;马佩军;郝跃 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L21/335 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 张捷 |
| 地址： | 710071*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，该方法包括：选取衬底层；在衬底层上生长成核层；在成核层上生长GaN缓冲层；在GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层；在第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层；在第一AlN插入层上生长第一InAlN势垒层；在第一InAlN势垒层上生长第二InGaN沟道层；在第二InGaN沟道层上生长第二AlN插入层；在第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层。本发明基于InGaN双沟道异质结构的高迁移率晶体管的制备方法，能够大幅度提升器件的工作线性度，克服了现有常规GaN双沟道技术对于器件线性度提升非常有限的缺点，从根本上提升了氮化物异质结构输运特性的理论极限。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 异质结构 沟道层 双沟道 势垒层 制备 高电子迁移率晶体管 衬底层 成核层 高迁移率晶体管 工作线性 理论极限 器件线性 输运特性 提升器件 氮化物 | ||
【主权项】：
1.一种基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：选取衬底层；在所述衬底层上生长成核层；在所述成核层上生长GaN缓冲层；在所述GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层；在所述第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层；在所述第一AlN插入层上生长第一InAlN势垒层；在所述第一InAlN势垒层上生长第二InGaN沟道层；在所述第二InGaN沟道层上生长第二AlN插入层；在所述第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层。
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