[发明专利]基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管及其制备方法，其特征在于，包括：

选取衬底层；

在所述衬底层上生长成核层；

在所述成核层上生长GaN缓冲层；

在所述GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层；

在所述第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层；

在所述第一AlN插入层上生长第一InAlN势垒层；

在所述第一InAlN势垒层上生长第二InGaN沟道层；

在所述第二InGaN沟道层上生长第二AlN插入层；

在所述第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述成核层上生长GaN缓冲层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基镓和氨气的环境氛围下，在所述成核层上生长GaN缓冲层，所述GaN缓冲层的厚度为0.5μm～2μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基镓、三甲基铟、氮气和氨气的环境氛围下，在所述GaN缓冲层上生长第一InGaN沟道层，所述第一InGaN沟道层的厚度为18～25nm。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基铝和氨气的环境氛围下，在所述第一InGaN沟道层上生长第一AlN插入层，所述第一AlN插入层的厚度为0.5～1.2nm。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一AlN插入层上生长第一InAlN势垒层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基铝、三甲基铟、氮气和氨气的环境氛围下，在所述第一AlN插入层上生长第一InAlN势垒层，所述第一InAlN势垒层的厚度为10～15nm。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一InAlN势垒层上生长第二InGaN沟道层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基镓、三甲基铟、氮气和氨气的环境氛围下，在所述第一InAlN势垒层上生长第二InGaN沟道层，所述第二InGaN沟道层的厚度为18～25nm。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二InGaN沟道层上生长第二AlN插入层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基铝和氨气的环境氛围下，在所述第二InGaN沟道层上生长第二AlN插入层，所述第二AlN插入层的厚度为0.5～1.2nm。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层，包括：

利用化学气相沉积法，在氢气、三甲基铝、三甲基铟、氮气和氨气的环境氛围下，在所述第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层，所述第二InAlN势垒层的厚度为10～15nm。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第二AlN插入层上生长第二InAlN势垒层之后，还包括：在所述第二InAlN势垒层上制备源电极、漏电极和栅电极。

10.一种基于InGaN双沟道异质结构的高电子迁移率晶体管，其特征在于，其自下而上包括：衬底层1、成核层2、GaN缓冲层3、第一InGaN沟道层4、第一AlN插入层5、第一InAlN势垒层6、第二InGaN沟道层7、第二AlN插入层8、第二InAlN势垒层9、源电极10、漏电极11和栅电极12，所述晶体管由权利要求1～9任意一项制备方法制备形成。