[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件在审
| 申请号： | 201811348409.7 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN111180383A | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 刘军 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 袁礼君;阚梓瑄 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开是关于一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。本公开提供的半导体结构的制造方法，能够去除向凹槽中填充多晶硅时多晶硅内部产生的狭缝。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制造 方法 以及 半导体器件 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
