[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体结构的制造方法，其特征在于，包括：

提供基底；

在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；

在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；

在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；

将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；

对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述制造方法还包括：

对所述间隙采用预设材料进行填充。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在基底上形成具有凹槽的图形层包括：

在所述基层上形成图形层；

在所述图形层上通过刻蚀形成凹槽。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述凹槽的内壁上形成牺牲层包括：

在所述图形层上形成牺牲层；

去除所述图形层上在所述凹槽底部以及所述凹槽外的所述牺牲层，仅保留所述凹槽内壁上的所述牺牲层。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述牺牲层材料比所述图形层材料的蚀刻速率高，所述牺牲层采用湿法刻蚀去除，其中：

以多段变速方式旋转所述基底，所述多段变速方式包含在刻蚀过程中所述基底的旋转速度在第一旋转速度以及第二旋转速度之间多次转换。

6.根据权利要求5所述的制造方法，其特征在于，所述第一旋转速度范围为960转/分钟～1040转/分钟，所述第二旋转速度范围为280转/分钟～320转/分钟。

7.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述预设温度在400℃-1000℃之间。

8.根据权利要求2所述的制造方法，其特征在于，所述预设材料为SiO₂或Si₃N₄。

9.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，在所述图形层的外表面上设置绝缘层。

10.一种半导体结构，其特征在于，包括：

基底；

图形层，设于所述基底上，所述图形成具有凹槽，且所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；

多晶硅填充层，位于所述凹槽内，用于填充所述凹槽，且所述多晶硅填充层与所述凹槽的侧壁之间具有间隙。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述间隙的宽度与所述凹槽的宽度的比值大于等于1/50且小于等于1/5。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述半导体结构还包括：

绝缘层，位于所述图形层上，所述绝缘层还部分填充于所述间隙中，所述绝缘层材料包括氧化硅或氮化硅。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述基底材料为硅、锗硅、绝缘体上硅中至少一种。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其特征在于，所述图形层材料包含氧化硅或氮化硅。

15.一种半导体器件，其特征在于，包括权利要求10-14任意一项所述的半导体结构。