[发明专利]半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件

说明书

本公开是关于一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件。该半导体结构的制造方法包括：提供基底；在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。本公开提供的半导体结构的制造方法，能够去除向凹槽中填充多晶硅时多晶硅内部产生的狭缝。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种半导体结构的制造方法、半导体结构以及半导体器件。

背景技术

随着半导体制造和加工工业已经发展至先进的技术节点，可以发现，集成度不断提高、器件部件减少、以及对器件性能的更高要求不断增强。半导体器件的特征尺寸变得越来越小，半导体芯片的集成度越来越高，在单位面积上需要形成的器件数量和类型也越来越多，从而对半导体工艺的要求也越来越高。

在半导体器件制造中，多晶硅是一种很常用的半导体材料，通常可以形成诸如位线接触栓塞或存储节点接触栓塞，作为埋栅电极或掩埋电容器的电极。

然而，目前在半导体器件的制造过程中，在半导体基底上的图形层的凹槽中填充多晶硅时，由于凹槽具有较大的深宽比，因此，多晶硅在填充时内部容易产生狭缝。当多晶硅中存在狭缝时，狭缝可能增加体电阻，从而导致电阻性失效。

需要说明的是，在上述背景技术部分公开的信息仅用于加强对本公开的背景的理解，因此可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本公开的目的在于提供一种能够去除多晶硅中狭缝的半导体结构的制造方法的新技术方案。

根据本公开的一个方面，提供了一种半导体结构的制造方法。该制造方法包括：

提供基底；

在基底上形成具有凹槽的图形层，所述凹槽的底部暴露出部分所述基底；

在所述凹槽的内壁上形成牺牲层；

在所述凹槽中填充多晶硅，所述多晶硅中具有空气狭缝；

将所述牺牲层去除，所述牺牲层去除后所述多晶硅与所述凹槽之间具有间隙；

对所述多晶硅进行预设温度的加热，使所述空气狭缝中的气体借由所述间隙逸出，从而使所述空气狭缝消除。

在本公开的一种示例性实施例中，所述制造方法还包括：

对所述间隙采用预设材料进行填充。

在本公开的一种示例性实施例中，在基底上形成具有凹槽的图形层包括：

在所述基层上形成图形层；

在所述图形层上通过刻蚀形成凹槽。

在本公开的一种示例性实施例中，在所述凹槽的内壁上形成牺牲层包括：

在所述图形层上形成牺牲层；

去除所述图形层上在所述凹槽底部以及所述凹槽外的所述牺牲层，仅保留所述凹槽内壁上的所述牺牲层。

在本公开的一种示例性实施例中，所述牺牲层材料比所述图形层材料的蚀刻速率高，所述牺牲层采用湿法刻蚀去除，其中：

以多段变速方式旋转所述基底，所述多段变速方式包含在刻蚀过程中所述基底的旋转速度在第一旋转速度以及第二旋转速度之间多次转换。

在本公开的一种示例性实施例中，所述第一旋转速度范围为960转/分钟～1040转/分钟，所述第二旋转速度范围为280转/分钟～320转/分钟。