[发明专利]一种缺陷抽检方法有效
申请号: | 201811340879.9 | 申请日: | 2018-11-12 |
公开(公告)号: | CN109309022B | 公开(公告)日: | 2020-12-25 |
发明(设计)人: | 韩超;龙吟;倪棋梁 | 申请(专利权)人: | 上海华力微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/67 |
代理公司: | 上海申新律师事务所 31272 | 代理人: | 俞涤炯 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种缺陷抽检方法,应用于缺陷抽检系统中,缺陷抽检系统包括多个机台,方法包括步骤S1,将每个机台根据加工工艺的配置参数的类型进行分类,并得到分类后的每组机台;步骤S2,对每组机台进行监控,并得到每组机台的未监控数量以及未监控时间;步骤S3,将未监控数量与未监控数量阈值进行比较,以及将未监控时间与未监控时间阈值进行比较:若未监控数量超出未监控数量阈值,或者未监控时间超出未监控时间阈值,则对未监控的每组机台上的晶圆进行抽检;若未监控数量未超出未监控数量阈值,且未监控时间未超出未监控时间阈值,则返回步骤S2。本发明的有益效果在于:提高抽样检测的精确性。 | ||
搜索关键词: | 一种 缺陷 抽检 方法 | ||
【主权项】:
1.一种缺陷抽检方法,应用于缺陷抽检系统中,所述缺陷抽检系统包括多个机台,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S1,将每个所述机台根据加工工艺的配置参数的类型进行分类,并得到分类后的每组机台;步骤S2,对每组所述机台进行监控,并得到每组所述机台的未监控数量以及未监控时间;步骤S3,将所述未监控数量与未监控数量阈值进行比较,以及将所述未监控时间与未监控时间阈值进行比较:若所述未监控数量超出所述未监控数量阈值,或者所述未监控时间超出所述未监控时间阈值,则对所述未监控的每组所述机台上的晶圆进行抽检;若所述未监控数量未超出所述未监控数量阈值,且所述未监控时间未超出所述未监控时间阈值,则返回步骤S2;所述未监控数量用于表示所述机台上的晶圆连续未被监控到的批次数量;所述未监控时间用于表示所述机台上的晶圆连续未被监控到的时间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力微电子有限公司,未经上海华力微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201811340879.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造