[发明专利]一种四元覆晶式LED结构及制作方法有效
| 申请号： | 201811338529.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109309152B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构没有进行衬底转移技术，直接由P型半导体层的表面出光，制作工艺简单且成本较低，极大程度的提高了生产良率，且将P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面，可以增加出光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 四元覆晶式 led 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述四元覆晶式LED结构包括：外延层；所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型衬底、N型半导体层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述N型衬底，且由所述N型衬底指向所述N型半导体层；设置在所述MQW多量子阱层背离所述N型半导体层一侧的P型半导体层，所述P型半导体层的一侧侧壁与所述外延层的一侧侧壁齐平，另一侧侧壁延伸出所述外延层的另一侧侧壁预设长度，且所述P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面；包围所述外延层侧壁、所述外延层背离所述P型半导体层的表面和所述P型半导体层的一侧侧壁的隔离层；贯穿所述隔离层的电极凹槽；通过所述电极凹槽与所述N型衬底接触连接的第一电极；与所述P型半导体层相邻所述MQW多量子阱层的表面进行欧姆接触的第二电极。
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