[发明专利]一种四元覆晶式LED结构及制作方法

说明书

本发明公开了一种四元覆晶式LED结构及制作方法，该四元覆晶式LED结构没有进行衬底转移技术，直接由P型半导体层的表面出光，制作工艺简单且成本较低，极大程度的提高了生产良率，且将P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面，可以增加出光效率。

技术领域

本发明涉及LED工艺技术领域，更具体地说，涉及一种四元覆晶式LED结构及制作方法。

背景技术

随着科学技术的不断发展，各种各样的LED(Light Emitting Diode，发光二极管)已广泛应用于人们的日常生活、工作以及工业中，为人们的生活带来了极大的便利。

但是，目前红光覆晶式LED需要进行衬底转移技术，进而降低了红光覆晶式LED的生产良率，且制作工艺复杂，成本较高。

发明内容

有鉴于此，为解决上述问题，本发明提供一种四元覆晶式LED结构及制作方法，技术方案如下：

一种四元覆晶式LED结构，所述四元覆晶式LED结构包括：

外延层；所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型衬底、N型半导体层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述N型衬底，且由所述N型衬底指向所述N型半导体层；

设置在所述MQW多量子阱层背离所述N型半导体层一侧的P型半导体层，所述P型半导体层的一侧侧壁与所述外延层的一侧侧壁齐平，另一侧侧壁延伸出所述外延层的另一侧侧壁预设长度，且所述P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面；

包围所述外延层侧壁、所述外延层背离所述P型半导体层的表面和所述P型半导体层的一侧侧壁的隔离层；

贯穿所述隔离层的电极凹槽；

通过所述电极凹槽与所述N型衬底接触连接的第一电极；

与所述P型半导体层相邻所述MQW多量子阱层的表面进行欧姆接触的第二电极。

优选的，所述N型衬底的厚度为80微米-200微米，包括端点值。

优选的，所述N型半导体层的厚度为0.5微米-5微米，包括端点值。

优选的，所述N型半导体层的材料为AlGaInP材料。

优选的，所述MQW多量子阱层的厚度为0.5微米-3微米，包括端点值。

优选的，所述P型半导体层的厚度为3微米-10微米，包括端点值。

优选的，所述P型半导体层的材料为GaP材料。

优选的，所述P型半导体层为掺杂Mg元素的P型半导体层。

优选的，所述掺杂Mg元素的P型半导体层的掺杂浓度为5e+18至1e+20，包括端点值。

本发明还提供了一种四元覆晶式LED结构的制作方法，所述制作方法包括：

提供一N型衬底；

在所述N型衬底上以第一方向依次生长N型半导体层、MQW多量子阱层和P型半导体层，其中，所述N型衬底、所述N型半导体层和所述MQW多量子阱层构成外延层，所述第一方向垂直于所述N型衬底，且由所述N型衬底指向所述N型半导体层；

对所述P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面进行粗化处理；

对所述外延层进行刻蚀直至暴露出所述P型半导体层，且所述P型半导体层的一侧侧壁与所述外延层的一侧侧壁齐平，另一侧侧壁延伸出所述外延层的另一侧侧壁预设长度；

在所述外延层侧壁、所述外延层背离所述P型半导体层的表面和所述P型半导体层的一侧侧壁形成隔离层；