[发明专利]一种四元覆晶式LED结构及制作方法有效
| 申请号： | 201811338529.9 | 申请日： | 2018-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN109309152B | 公开（公告）日： | 2020-04-07 |
| 发明（设计）人： | 许晏铭;彭钰仁 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/22 | 分类号： | H01L33/22;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 225101 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 四元覆晶式 led 结构 制作方法 | ||
1.一种四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述四元覆晶式LED结构包括：
外延层；所述外延层包括在第一方向上依次设置的N型衬底、N型半导体层和MQW多量子阱层，所述第一方向垂直于所述N型衬底，且由所述N型衬底指向所述N型半导体层；
设置在所述MQW多量子阱层背离所述N型半导体层一侧的P型半导体层，所述P型半导体层的一侧侧壁与所述外延层的一侧侧壁齐平，另一侧侧壁延伸出所述外延层的另一侧侧壁预设长度，且所述P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面为粗化处理后的表面；
包围所述外延层侧壁、所述外延层背离所述P型半导体层的表面和所述P型半导体层的一侧侧壁的隔离层；
贯穿所述隔离层的电极凹槽；
通过所述电极凹槽与所述N型衬底接触连接的第一电极；
与所述P型半导体层相邻所述MQW多量子阱层的表面进行欧姆接触的第二电极。
2.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述N型衬底的厚度为80微米-200微米，包括端点值。
3.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述N型半导体层的厚度为0.5微米-5微米，包括端点值。
4.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述N型半导体层的材料为AlGaInP材料。
5.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述MQW多量子阱层的厚度为0.5微米-3微米，包括端点值。
6.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述P型半导体层的厚度为3微米-10微米，包括端点值。
7.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述P型半导体层的材料为GaP材料。
8.根据权利要求1所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述P型半导体层为掺杂Mg元素的P型半导体层。
9.根据权利要求8所述的四元覆晶式LED结构，其特征在于，所述掺杂Mg元素的P型半导体层的掺杂浓度为5e+18至1e+20，包括端点值。
10.一种四元覆晶式LED结构的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：
提供一N型衬底；
在所述N型衬底上以第一方向依次生长N型半导体层、MQW多量子阱层和P型半导体层，其中，所述N型衬底、所述N型半导体层和所述MQW多量子阱层构成外延层，所述第一方向垂直于所述N型衬底，且由所述N型衬底指向所述N型半导体层；
对所述P型半导体层背离所述MQW多量子阱层的表面进行粗化处理；
对所述外延层进行刻蚀直至暴露出所述P型半导体层，且所述P型半导体层的一侧侧壁与所述外延层的一侧侧壁齐平，另一侧侧壁延伸出所述外延层的另一侧侧壁预设长度；
在所述外延层侧壁、所述外延层背离所述P型半导体层的表面和所述P型半导体层的一侧侧壁形成隔离层；
在所述N型衬底背离所述N型半导体层一侧的所述隔离层上形成电极凹槽，所述电极凹槽贯穿所述隔离层；
通过所述电极凹槽形成与所述N型衬底接触连接的第一电极；
在所述P型半导体层相邻所述MQW多量子阱层的表面形成第二电极。
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