[发明专利]一种快速生长SnO2

摘要

本发明涉及一种快速生长SnO2纳米片的方法，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备，S2)、SnO2纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160‑250℃下保温0.5‑4h；S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3‑5次，去除残留的试剂；本发明生长周期短，且纳米片的均一性好，可以提升SnO2纳米材料的灵敏度；制备工艺简单，制备成本低，且性能稳定，并且制备的SnO2纳米片具有较好的光催化降解功能；本发明制备SnO2纳米片分布较为规则，有利益增大纳米材料的比表面积；本发明制备SnO2纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

主权项

1.一种快速生长SnO2纳米片的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备S101)、将0.1‑0.3质量份数的氯化亚锡、和0.05‑0.1质量份数的醋酸钠加入到15‑30体积份数的去离子水中磁力搅拌15‑30min，得到A溶液；S102)、将0.05‑0.1质量份数的六次甲基四胺加入到15‑30体积份数的去离子水中，磁力搅拌15‑30min，得到B溶液；S103)、将上述的A溶液和B溶液混合均匀，并加入20‑40体积份数的乙二醇，然后磁力搅拌15‑30min，即可配制成均匀的生长溶液；S2)、SnO2纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160‑250℃下保温0.5‑4h；S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3‑5次，去除残留的试剂。