[发明专利]一种快速生长SnO2

说明书

本发明涉及一种快速生长SnO₂纳米片的方法，包括以下步骤：S1)、生长溶液的制备，S2)、SnO₂纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160‑250℃下保温0.5‑4h；S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3‑5次，去除残留的试剂；本发明生长周期短，且纳米片的均一性好，可以提升SnO₂纳米材料的灵敏度；制备工艺简单，制备成本低，且性能稳定，并且制备的SnO₂纳米片具有较好的光催化降解功能；本发明制备SnO₂纳米片分布较为规则，有利益增大纳米材料的比表面积；本发明制备SnO₂纳米片在锂离子电池、传感器、光催化等领域具有良好的应用前景。

技术领域

本发明涉及一种气敏材料技术领域，尤其是一种快速生长SnO₂纳米片的方法。

背景技术

随着气敏传感器的快速发展，气敏材料也得到了快速的发展，目前，气敏传感器主要是基于半导体金属氧化物如ZnO、SnO₂、WO₃，这些金属氧化物由于有性能优异、环境友善、资源丰富、价格低廉等优点，是研究较为广泛的气敏材料。通过金属氧化物表面修饰、金属/贵金属掺杂等工艺可提升材料的气敏性能，在气敏传感器领域有非常广泛的应用。

决定半导体气敏材料灵敏度的关键因素包括：比表面积，通过化学法构建纳米材料，使材料具有较大的比表面积可以增加材料与目标气体的接触，进而提升材料的灵敏度；空位/缺陷调控，通过控制体系氧空位，可以提升目标气体与敏感材料的反应活性，可以提升材料的灵敏度；构建复合材料，利用纳米材料比表面积大和复合材料电子传输快的诸多优点，可实现高灵敏度气敏材料的构建。

其中，由于纳米尺度的SnO₂具有优异的气敏特性，其被作为气敏传感器的主要材料，专利号为ZL201510418603.8，专利名称为一种负载金纳米颗粒的氧化锡多孔纳米片气敏材料的制备方法公开了一下内容，SnO₂纳米片主要是五水合四氯化锡、硫脲、去离子水在170-220℃长时间保温(16-24h)，经多次清洗和低温干燥之后，在450-550℃热处理获得。

专利CN201610941668.5，一种Pt纳米粒修饰ZnSnO₃纳米片气敏材料的制备方法，公开了通过采用醋酸锌和锡酸钠、乙醇和去离子水，经高压釜180℃下反应24小时，再经600℃处理2h，制备出了ZnSnO₃纳米片。上述方法制备SnO₂纳米片的时间都很长，而且，纳米片的尺寸均一性较差。因此，亟需要一种能够快速生长尺寸均一的SnO₂纳米片的方法。

发明内容

针对现有技术的不足，本发明提供一种快速生长SnO₂纳米片的方法，该方法能够快速制备SnO₂纳米片，具有生长速度快、均一性好的优点。

本发明的技术方案为：一种快速生长SnO₂纳米片的方法，包括以下步骤：

S1)、生长溶液的制备

S101)、将0.1-0.3质量份数的氯化亚锡、和0.05-0.1质量份数的醋酸钠加入到15-30体积份数的去离子水中磁力搅拌15-30min，得到A溶液；

S102)、将0.05-0.1质量份数的六次甲基四胺加入到15-30体积份数的去离子水中，磁力搅拌15-30min，得到B溶液；

S103)、将上述的A溶液和B溶液混合均匀，并加入20-40体积份数的乙二醇，然后磁力搅拌15-30min，即可配制成均匀的生长溶液；

S2)、SnO₂纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在 160-250℃下保温0.5-4h；