[发明专利]一种快速生长SnO2

权利要求书

1.一种快速生长SnO₂纳米片的方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1)、生长溶液的制备

S101)、将0.1-0.3质量份数的氯化亚锡、和0.05-0.1质量份数的醋酸钠加入到15-30体积份数的去离子水中磁力搅拌15-30min，得到A溶液；

S102)、将0.05-0.1质量份数的六次甲基四胺加入到15-30体积份数的去离子水中，磁力搅拌15-30min，得到B溶液；

S103)、将上述的A溶液和B溶液混合均匀，并加入20-40体积份数的乙二醇，然后磁力搅拌15-30min，即可配制成均匀的生长溶液；

S2)、SnO₂纳米片的生长，将制备好的生长溶液和干净的ITO衬底放入高压釜当中，在160-250℃下保温0.5-4h；

S3)、样品清洗，采用去离子水超声波清洗样品3-5次，去除残留的试剂。

2.根据权利要求1所述的一种快速生长SnO₂纳米片的方法，其特征在于：步骤S2)中，干净的ITO衬底是采用去离子水超声清洗5-8次，并烘干后得到。

3.根据权利要求1所述的一种快速生长SnO₂纳米片的方法，其特征在于：步骤S3)中，为了提高SnO₂纳米片的结晶性能，可将清洗干净的SnO₂纳米片在大气环境中，200-280℃温度条件下退火1-2h。