[发明专利]堆叠式TSV结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201811328173.0 申请日: 2018-11-09
公开(公告)号: CN109461749A 公开(公告)日: 2019-03-12
发明(设计)人: 马敬;钟伟明;金子贵昭 申请(专利权)人: 德淮半导体有限公司
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 韩晓薇
地址: 223300 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 本公开涉及堆叠式TSV结构及其制造方法。一实施例提供了堆叠式TSV结构,包括:逻辑区,在所述逻辑区中形成有第一金属连线层;位于逻辑区上的像素区,在所述像素区中形成有第二金属连线层;以及穿通硅通孔,所述穿通硅通孔包括从所述第一金属连线层向上穿通所述逻辑区到达所述第二金属连线层的第一通孔,其中所述穿通硅通孔中填充形成有接触件,所述接触件接触所述第一金属连线层和所述第二金属连线层,从而使得所述第一金属连线层电连接到所述第二金属连线层。
搜索关键词: 金属连线层 逻辑区 穿通 堆叠式 硅通孔 接触件 像素区 电连接 填充 通孔 制造
【主权项】:
1.一种堆叠式TSV结构,其特征在于,包括:逻辑区,在所述逻辑区中形成有第一金属连线层;位于逻辑区上的像素区,在所述像素区中形成有第二金属连线层;以及穿通硅通孔,所述穿通硅通孔包括从所述第一金属连线层向上穿通所述逻辑区到达所述第二金属连线层的第一通孔,其中所述穿通硅通孔中填充形成有接触件,所述接触件接触所述第一金属连线层和所述第二金属连线层,从而使得所述第一金属连线层电连接到所述第二金属连线层。
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