[发明专利]一种纳米硅材料的制备方法

摘要

本发明提供了一种纳米硅材料的制备方法，其包括以下制备步骤：1)将SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以2‑10℃/分钟的速度将所述管式炉升温至700‑1200℃，保持温度2‑10小时后自然降至室温，取出物料；2)将质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向聚四氟烧杯中加入去离子水稀释氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液；3)将物料加入到氢氟酸水溶液中浸泡反应后过滤得到固体沉淀物；4)将固体沉淀物用蒸馏水清洗后放入真空烘箱中，待烘箱压力达到‑0.1MPa时开始加热，干燥后得到纳米硅颗粒。本发明相较于现有技术可以制备粒径更小的纳米硅，同时可以有效地避免杂质的引入。

主权项

1.一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：1)称取所需质量的SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以2‑10℃/分钟的速度将所述管式炉升温至700‑1200℃，保持温度2‑10小时后自然降至室温，取出物料(A)；2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应2‑5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3‑5次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到‑0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥4‑10小时，得到纳米硅颗粒。