[发明专利]一种纳米硅材料的制备方法在审
| 申请号： | 201811316260.4 | 申请日： | 2018-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN109384231A | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | 王丽;毛焕宇;唐其伟 | 申请（专利权）人： | 苏州宇量电池有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/021 | 分类号： | C01B33/021;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 苏州瑞光知识产权代理事务所(普通合伙) 32359 | 代理人： | 唐露 |
| 地址： | 215000 江苏省苏州市常熟*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 制备 氢氟酸水溶液 固体沉淀物 纳米硅材料 聚四氟 氢氟酸 烧杯 烘箱 纳米硅颗粒 蒸馏水清洗 氮气保护 去离子水 真空烘箱 质量分数 管式炉 加入管 纳米硅 有效地 放入 粒径 炉中 稀释 加热 过滤 浸泡 取出 引入 | ||
1.一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)称取所需质量的SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以2-10℃/分钟的速度将所述管式炉升温至700-1200℃，保持温度2-10小时后自然降至室温，取出物料(A)；
2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；
3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应2-5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；
4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3-5次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到-0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥4-10小时，得到纳米硅颗粒。
2.根据权利要求1所述的一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)称取所需质量的SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以4-8℃/分钟的速度将所述管式炉升温至800-1100℃，保持温度3-8小时后自然降至室温，取出物料(A)；
2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；
3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应3-5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；
4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3-4次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到-0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥6-10小时，得到纳米硅颗粒。
3.根据权利要求1所述的一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)称取所需质量的SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以5-7℃/分钟的速度将所述管式炉升温至900-1000℃，保持温度4-6小时后自然降至室温，取出物料(A)；
2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；
3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应4-5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；
4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3-4次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到-0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥8-10小时，得到纳米硅颗粒。
4.根据权利要求1所述的一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)称取所需质量的Si0粉末加入管式炉中，在氮气保护下以5-6℃/分钟的速度将所述管式炉升温至950-1000℃，保持温度4-5小时后自然降至室温，取出物料(A)；
2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；
3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应4.5-5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；
4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3-4次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到-0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥9-10小时，得到纳米硅颗粒。
5.根据权利要求1所述的一种纳米硅材料的制备方法，其特征在于，包括以下制备步骤：
1)称取所需质量的SiO粉末加入管式炉中，在氮气保护下以5℃/分钟的速度将所述管式炉升温至1000℃，保持温度4小时后自然降至室温，取出物料(A)；
2)量取所需体积的质量分数为40％的氢氟酸加入聚四氟烧杯中，向所述聚四氟烧杯中加入去离子水稀释所述氢氟酸，得到浓度为1mol/L的氢氟酸水溶液(B)；
3)将所述物料(A)加入到所述氢氟酸水溶液(B)中，浸泡反应5小时后，过滤得到固体沉淀物(C)；
4)将所述固体沉淀物(C)用蒸馏水清洗3次，随后放入真空烘箱中，开启真空泵，待烘箱压力达到-0.1MPa时开始加热，在60℃条件下干燥10小时，得到纳米硅颗粒。
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