[发明专利]半导体器件结构及其制备方法在审
| 申请号： | 201811308076.5 | 申请日： | 2018-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN111146287A | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 毛焜;雷天飞 | 申请（专利权）人： | 上海晶丰明源半导体股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新区中国（上海）*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件结构及其制备方法，包括：第一掺杂类型的衬底、第二掺杂类型的第一阱区、第一漏极、第一源极、第一栅氧化层、多晶硅栅极、第二栅氧化层、第二掺杂类型的衬底材料层、第二掺杂类型的第二阱区、第二漏极、第二源极及第一掺杂类型的体区。本发明的半导体器件结构在获得高耐压的前提下，可以有效降低比导通电阻，打破了现有的硅极限。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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