[发明专利]半导体器件结构及其制备方法

权利要求书

1.一种半导体器件结构，其特征在于，所述半导体器件结构包括：

第一掺杂类型的衬底；

第二掺杂类型的第一阱区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；

第一漏极，位于所述第二掺杂类型的第一阱区内；

第一源极，位于所述第一掺杂类型的衬底内；

第一栅氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底上表面；

多晶硅栅极，位于部分所述第一栅氧化层的上表面；

第二栅氧化层，位于所述多晶硅栅极的上表面及部分所述第一栅氧化层的上表面；

第二掺杂类型的衬底材料层，位于所述第二栅氧化层的上表面；

第二掺杂类型的第二阱区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内；

第二漏极，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第二阱区的一侧；所述第二漏极与所述第一漏极短接；

第二源极，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二掺杂类型的第二阱区背离所述第二漏极的一侧；所述第二源极与所述第一源极短接；

第一掺杂类型的体区，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层内，且位于所述第二源极与所述第二掺杂类型的第二阱区之间。

2.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括场氧化层，位于所述第一掺杂类型的衬底表面，且位于所述第一掺杂类型的衬底与所述第一栅氧化层之间。

3.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括：

第一掺杂类型的阱区，位于所述第一掺杂类型的衬底内；所述第一源极位于所述第一掺杂类型的阱区内；

第一掺杂类型的重掺杂区域，位于所述第一掺杂类型的阱区内，且与所述第一源极相短接。

4.根据权利要求2所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括；

介质层，位于所述第二掺杂类型的衬底材料层的上表面及裸露的所述场氧化层的上表面；

漏极电极，位于所述介质层内及所述介质层的上表面，所述漏极电极将所述第一漏极与所述第二漏极短接；

源极电极，位于所述介质层内及所述介质层的上表面，所述源极电极将所述第一源极与所述第二源极短接。

5.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第二漏极为第二掺杂类型的漏极；所述第二源极沿长度方向包括若干个交替排布的第一掺杂类型的掺杂区域及第二掺杂类型的掺杂区域。

6.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述场氧化层的厚度为1000埃～20000埃；所述第一栅氧化层的厚度为100埃～2000埃；所述第二栅氧化层的厚度为100埃～2000埃；所述第二掺杂类型的衬底材料层的厚度为0.1μm～10μm。

7.根据权利要求1所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构还包括第一掺杂类型的埋层，所述第一掺杂类型的埋层位于所述第二掺杂类型的第一阱区内，且位于所述第一源极与所述第一漏极之间。

8.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于：所述半导体器件结构包括N层所述第一掺杂类型的埋层，N层所述第一掺杂类型的埋层沿所述第二掺杂类型的第一阱区的深度方向平行间隔排布；所述第二掺杂类型的第一阱区内的掺杂离子的剂量为所述第一掺杂类型的埋层内掺杂离子的剂量的N+1倍，其中，N为大于等于2的整数。

9.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距相等。

10.根据权利要求8所述的半导体器件结构，其特征在于：相邻各层所述第一掺杂类型的埋层之间的间距不等。

11.根据权利要求7所述的半导体器件结构，其特征在于：所述第一掺杂类型的埋层内第一掺杂离子的剂量与所述第二掺杂类型的第一阱区内的第二掺杂离子的剂量及所述第二掺杂类型的第二阱区内第二掺杂类型离子的剂量相同。