[发明专利]发光单元及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811296440.0 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109411583B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王国强;王久石;刘清召 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种发光单元及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该发光单元包括：层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层至少覆盖所述发光层的部分顶面和部分侧面，且所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘；其中，所述第一半导体层和第二半导体层中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层。本发明有效地增大了发光单元的光提取效率。本发明用于发光。 | ||
| 搜索关键词： | 发光 单元 及其 制造 方法 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层至少覆盖所述发光层的部分顶面和部分侧面，且所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811296440.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种表面粗化的LED芯片及其制作方法
- 下一篇：微型发光二极管及其显示器
