[发明专利]发光单元及其制造方法、显示装置

说明书

本发明公开了一种发光单元及其制造方法、显示装置，属于显示技术领域。该发光单元包括：层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层至少覆盖所述发光层的部分顶面和部分侧面，且所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘；其中，所述第一半导体层和第二半导体层中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层。本发明有效地增大了发光单元的光提取效率。本发明用于发光。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种发光单元及其制造方法、显示装置。

背景技术

微型发光二极管(Micro Light Emitting Diode，微LED)技术，即LED微缩化和矩阵化技术，是在一个芯片上集成高密度的LED阵列，且每个LED具有较小的尺寸。其具有发光效率高、亮度高、解析度高和反应速度快等特点。因此，将该技术应用在显示面板中是显示技术的必然发展趋势。

相关技术中，微LED器件包括：设置在发光层一侧的N型半导体层，以及设置在发光层另一侧的P型半导体层。其中，该一侧和另一侧为相对的两侧。并且，该发光层与N型半导体层的接触面，及该发光层与P型半导体层的接触面均为平面。

发明内容

本发明提供了一种发光单元及其制造方法、显示装置，可以解决相关技术中微LED器件的光提取效率较低的问题。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种发光单元，所述发光单元包括：

层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层至少覆盖所述发光层的部分顶面和部分侧面，且所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘；

其中，所述第一半导体层和第二半导体层中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层。

可选地，所述第一半导体层靠近所述发光层的一面具有第一凸起结构，所述发光层至少覆盖所述第一凸起结构的部分顶面和部分侧面。

可选地，所述发光层靠近所述第二半导体层的侧面相对于所述第一半导体层的底面倾斜设置。

可选地，所述发光层的顶面在所述第一半导体层上的正投影位于所述发光层的底面在所述第一半导体层上的正投影内。

可选地，所述发光单元还包括第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第一电极在所述第一半导体层上的正投影不重叠；

所述发光单元还包括：第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第二电极在所述第一半导体层上的正投影不重叠。

可选地，所述第一半导体层还包括：第一延伸结构，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第一延伸结构在所述第一半导体层上的正投影不重叠，所述第一电极设置在所述第一延伸结构上，且所述第一电极与所述第一延伸结构电连接；

所述第二半导体层还包括：第二延伸结构，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第二延伸结构在所述第一半导体层上的正投影不重叠，所述第二电极设置在所述第二延伸结构上，且所述第二电极与所述第二延伸结构电连接。

可选地，所述发光单元还包括：折射层，所述折射层覆盖所述第二半导体层的出光面；

所述第二半导体层的折射率与所述折射层的折射率的差值小于预设阈值，且所述折射层的透光率大于所述第二半导体层的透光率；

或者，所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率，且所述折射层的折射率大于空气的折射率。

可选地，所述折射层的出光面具有至少一个第三凸起结构。

可选地，所述第二半导体层的材料包括：掺杂有金属的氮化镓，所述折射层的材料包括：氮化硅。