[发明专利]发光单元及其制造方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811296440.0 | 申请日： | 2018-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN109411583B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 王国强;王久石;刘清召 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/24;H01L33/00;H01L33/44 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 杨广宇 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 单元 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：
层叠设置的第一半导体层、发光层和第二半导体层，所述第二半导体层至少覆盖所述发光层的部分顶面和部分侧面，且所述第一半导体层与所述第二半导体层绝缘；其中，所述第一半导体层和所述第二半导体层中一个为N型半导体层，另一个为P型半导体层；
所述发光单元还包括：第一电极，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第一电极在所述第一半导体层上的正投影不重叠；
所述发光单元还包括：第二电极，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第二电极在所述第一半导体层上的正投影不重叠。
2.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层靠近所述发光层的一面具有第一凸起结构，所述发光层至少覆盖所述第一凸起结构的部分顶面和部分侧面。
3.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，所述发光层靠近所述第二半导体层的侧面相对于所述第一半导体层的底面倾斜设置。
4.根据权利要求3所述的发光单元，其特征在于，所述发光层的顶面在所述第一半导体层上的正投影位于所述发光层的底面在所述第一半导体层上的正投影内。
5.根据权利要求1所述的发光单元，其特征在于，
所述第一半导体层还包括：第一延伸结构，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第一延伸结构在所述第一半导体层上的正投影不重叠，所述第一电极设置在所述第一延伸结构上，且所述第一电极与所述第一延伸结构电连接；
所述第二半导体层还包括：第二延伸结构，所述发光层在所述第一半导体层上的正投影与所述第二延伸结构在所述第一半导体层上的正投影不重叠，所述第二电极设置在所述第二延伸结构上，且所述第二电极与所述第二延伸结构电连接。
6.根据权利要求1至4任一所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元还包括：折射层，所述折射层覆盖所述第二半导体层的出光面；
所述第二半导体层的折射率与所述折射层的折射率的差值小于预设阈值，且所述折射层的透光率大于所述第二半导体层的透光率；
或者，所述折射层的折射率小于所述第二半导体层的折射率，且所述折射层的折射率大于空气的折射率。
7.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述折射层的出光面具有至少一个第三凸起结构。
8.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述第二半导体层的材料包括：掺杂有金属的氮化镓，所述折射层的材料包括：氮化硅。
9.根据权利要求1至4任一所述的发光单元，其特征在于，所述第二半导体层的出光面具有至少一个第四凸起结构。
10.根据权利要求1、2、3、4、5、7或8所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：微LED结构。
11.根据权利要求6所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：微LED结构。
12.根据权利要求9所述的发光单元，其特征在于，所述发光单元包括：微LED结构。
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