[发明专利]一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器在审
申请号: | 201811290519.2 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109494435A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 王凤娟;刘景亭;余宁梅 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 常娥 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | 本发明公开了一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器,包括采用重布线层RDL技术制作的顶面金属和底面金属,顶面金属和底面金属之间通过侧壁金属连接,侧壁金属内部纵向安装有模片,侧壁金属和膜片整体镶嵌在高电阻率的半导体衬底中,顶面金属、底面金属与衬底的交界处均设置有氧化硅填充块。本发明的矩形波导滤波器应用TSV技术进行深孔刻蚀和金属填充,制作侧壁金属和模片,应用重布线层RDL技术制作顶面金属和底面金属,使其与内部器件进行级联,有效解决了THz波器件的集成化微型化问题。 | ||
搜索关键词: | 金属 侧壁金属 底面 顶面 矩形波导滤波器 技术制作 重布线层 圆柱型 衬底 模片 微型化 高电阻率 金属填充 内部器件 有效解决 纵向安装 集成化 交界处 氧化硅 级联 刻蚀 膜片 深孔 填充 半导体 应用 镶嵌 制作 | ||
【主权项】:
1.一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器,其特征在于,包括顶面金属(2)和底面金属(3),顶面金属(2)和底面金属(3)之间通过侧壁金属(4)连接,侧壁金属(4)内部纵向安装有模片(6)。
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