[发明专利]一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器

权利要求书

1.一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，包括顶面金属(2)和底面金属(3)，顶面金属(2)和底面金属(3)之间通过侧壁金属(4)连接，侧壁金属(4)内部纵向安装有模片(6)。

2.根据权利要求1所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述侧壁金属(4)包括相互平行设置的两排硅通孔。

3.根据权利要求2所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述模片(6)可分成六组，每组包括相对应的两块膜片(6)。

4.根据权利要求3所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述中间两组膜片(6)中的每块膜片均由三个圆柱形硅通孔组成，其余膜片(6)由两个圆柱形硅通孔组成。

5.根据权利要求4所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述每个侧壁金属(4)包括三十七个圆柱形硅通孔。

6.根据权利要求5所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述组成侧壁金属(4)与膜片(6)的圆柱形硅通孔高度均为100μm，直径均为10μm。

7.根据权利要求5所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述膜片(6)中每个相邻圆柱形硅通孔的间距大于等于10μm。

8.根据权利要求1所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述侧壁金属(4)和膜片(6)整体镶嵌在高电阻率的半导体衬底(5)中。

9.根据权利要求8所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述顶面金属(2)、底面金属(3)与衬底(5)的交界处均设置有氧化硅填充块(1)。

10.根据权利要求1所述的一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器，其特征在于，所述顶面金属(2)和底面金属(3)均采用重布线层RDL工艺制作。