[发明专利]一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器在审
申请号: | 201811290519.2 | 申请日: | 2018-10-31 |
公开(公告)号: | CN109494435A | 公开(公告)日: | 2019-03-19 |
发明(设计)人: | 王凤娟;刘景亭;余宁梅 | 申请(专利权)人: | 西安理工大学 |
主分类号: | H01P1/208 | 分类号: | H01P1/208 |
代理公司: | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人: | 常娥 |
地址: | 710048*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 金属 侧壁金属 底面 顶面 矩形波导滤波器 技术制作 重布线层 圆柱型 衬底 模片 微型化 高电阻率 金属填充 内部器件 有效解决 纵向安装 集成化 交界处 氧化硅 级联 刻蚀 膜片 深孔 填充 半导体 应用 镶嵌 制作 | ||
本发明公开了一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器,包括采用重布线层RDL技术制作的顶面金属和底面金属,顶面金属和底面金属之间通过侧壁金属连接,侧壁金属内部纵向安装有模片,侧壁金属和膜片整体镶嵌在高电阻率的半导体衬底中,顶面金属、底面金属与衬底的交界处均设置有氧化硅填充块。本发明的矩形波导滤波器应用TSV技术进行深孔刻蚀和金属填充,制作侧壁金属和模片,应用重布线层RDL技术制作顶面金属和底面金属,使其与内部器件进行级联,有效解决了THz波器件的集成化微型化问题。
技术领域
本发明属于电子器件技术领域,具体涉及一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器。
背景技术
现代通信技术的不断发展,使得滤波器成为整个通信系统中的一个重要部件,滤波器的主要作用是筛选有用信号最大程度无衰减的通过滤波器,使无用信号得到最大程度衰减,波导滤波器是比较常见的滤波器之一。
现代通信技术不断追求数据的高速传输,伴随着5G网络信号的快速发展,人们开始对亚毫米波和频率为300GHz-3000GHz波的研究。亚毫米波的频率已经达到太赫兹(THz)级别,THz波是介于微波和红外之间的电磁波,波长在0.03-3mm之间,频率为0.1-10THz,THz波拥有和光波相同的直进性,同时具有与电波相类似的穿透性和吸收性,在通信、医学、生物甚至包含反恐行动等领域展示出了强大的应用优势,具有广阔的发展前景。
进行THz波的研究,滤波器是至关重要的部件,而且对滤波器有很大的设计要求。传统滤波器的结构继承了金属波导的原有结构,不能与主流集成电路的平面工艺兼容,不利于滤波器的系统集成。
发明内容
本发明的目的是提供一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器,解决现有滤波器不能与主流集成电路的平面工艺兼容的问题。
本发明采用的技术方案是,一种基于圆柱型TSV的矩形波导滤波器,包括顶面金属和底面金属,顶面金属和底面金属之间通过侧壁金属连接,侧壁金属内部纵向安装有模片。
本发明的技术特征还在于,
所述侧壁金属包括相互平行设置的两排硅通孔。
所述模片可分成六组,每组包括相对应的两块膜片。
所述中间两组膜片中的每块膜片均由三个圆柱形硅通孔组成,其余膜片由两个圆柱形硅通孔组成。
所述每个侧壁金属包括三十七个圆柱形硅通孔。
所述组成侧壁金属与膜片的圆柱形硅通孔高度均为100μm,直径均为10μm。
所述膜片中每个相邻圆柱形硅通孔的间距大于等于10μm。
所述侧壁金属和膜片整体镶嵌在高电阻率的半导体衬底中。
所述顶面金属、底面金属与衬底的交界处均设置有氧化硅填充块。
所述顶面金属和底面金属均采用重布线层RDL工艺制作。
本发明的有益效果是:
(1)本发明应用TSV技术进行深孔刻蚀和金属填充,制作侧壁金属和模片,应用重布线层(RDL)技术制作顶面金属和底面金属,使其与内部器件进行级联,有效解决了THz波器件的集成化微型化问题。
(2)本发明通过设置六组膜片构成了内部的五组谐振器,可以使得电磁波在传输的过程中增加不断反射的频率和次数,从而得到更大的截至频率;极大的减少了传输的高频电磁波的损耗,使低频电磁波更快的衰减,从而起到高效的高频滤波效果。
附图说明
图1是本发明的矩形波导滤波器的结构示意图;
图2是本发明的矩形波导滤波器中侧壁金属和膜片相应位置关系示意图。
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