[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置有效
| 申请号： | 201811288816.3 | 申请日： | 2018-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN109411547B | 公开（公告）日： | 2022-10-11 |
| 发明（设计）人： | 操彬彬 | 申请（专利权）人： | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 230012 *** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的一种薄膜晶体管，包括基底，以及位于所述基底之上的源极、漏极和有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率，且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极；所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 制备 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，包括基底，以及位于所述基底之上的源极、漏极和有源层，其特征在于，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率，且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极；所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内。
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