[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置

说明书

本发明提供一种薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置，属于显示技术领域。本发明的一种薄膜晶体管，包括基底，以及位于所述基底之上的源极、漏极和有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率，且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极；所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内。

技术领域

本发明属于显示技术领域，具体涉及一种薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置。

背景技术

由于低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，简称LTPS)具有较高的迁移率及稳定性，其迁移率可达非晶硅的几十甚至几百倍，故可采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管，应用于显示装置中。

薄膜晶体管包括顶栅型薄膜晶体管和底栅型薄膜晶体管，相对于顶栅型薄膜晶体管，底栅型薄膜晶体管的制备工艺更为简单，具有较大的成本优势。根据制作工艺的差异，底栅型薄膜晶体管一般分为背沟道刻蚀型结构(BCE)和刻蚀阻挡层型结构(ESL)。其中。BCE结构中可减少一层刻蚀阻挡层的使用，工艺较为简单，但是其漏电流较高，无法在显示面板中得到很好的应用。

发明内容

本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种能够减小漏电流的薄膜晶体管。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管，包括基底，以及位于所述基底之上的源极、漏极和有源层，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率，且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极；所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内。

优选的，所述薄膜晶体管还包括：位于源极与所述第二有源层之间、位于所述漏极与所述第二有源层之间的欧姆接触层。

优选的，所述第一有源层的材料为非晶硅；所述第二有源层的材料为多晶硅。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括设置于基底上的薄膜晶体管，所述薄膜晶体管为上述任意一种薄膜晶体管。

优选的，所述显示基板还包括设置于基底上的数据线，所述数据线与所述源极、所述漏极同层设置且材料相同；

所述数据线通过连接电极与所述源极电连接。

优选的，所述显示基板还包括：设置于所述源极、所述漏极和所述数据线所在层背离所述基底一侧的绝缘层；所述绝缘层对应所述数据线的位置设置有第一过孔，所述绝缘层对应所述源极的位置设置有第二过孔；所述连接电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述数据线和所述源极电连接。

进一步优选的，所述显示基板还包括：设置于绝缘层背离所述基底一侧的像素电极，所述连接电极与所述像素电极同层设置且材料相同；所述绝缘层对应所述漏极的位置设置有第三过孔，所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示装置，包括上述任意一种显示基板。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种薄膜晶体管的制备方法，包括在基底上形成源极、漏极和有源层的步骤，所述有源层包括第一有源层和第二有源层，所述第一有源层的载流子迁移率小于所述第二有源层的载流子迁移率，且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极；

形成源极、漏极的步骤包括：通过构图工艺在基底上对应所述第二有源层区域内分别形成源极和漏极。

解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，包括：