[发明专利]薄膜晶体管及制备方法、显示基板及制备方法、显示装置有效

专利信息
申请号: 201811288816.3 申请日: 2018-10-31
公开(公告)号: CN109411547B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 操彬彬 申请(专利权)人: 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L21/77;H01L27/32;G02F1/1368
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 柴亮;张天舒
地址: 230012 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 薄膜晶体管 制备 方法 显示 显示装置
【权利要求书】:

1.一种显示基板,包括设置于基底上的薄膜晶体管,其特征在于,所述薄膜晶体管包括基底,以及位于所述基底之上的源极、漏极和有源层,所述有源层包括第一有源层和第二有源层,所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率,且所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极;所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内;

所述显示基板还包括:

设置于基底上的数据线,所述数据线与所述源极、所述漏极同层设置且材料相同;

设置于所述源极、所述漏极和所述数据线所在层背离所述基底一侧的绝缘层;所述绝缘层对应所述数据线的位置设置有第一过孔,所述绝缘层对应所述源极的位置设置有第二过孔,连接电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述数据线和所述源极电连接;

设置于绝缘层背离所述基底一侧的像素电极,所述连接电极与所述像素电极同层设置且材料相同;所述绝缘层对应所述漏极的位置设置有第三过孔,所述像素电极通过所述第三过孔与所述漏极电连接;

所述第一有源层在所述基底上的正投影与所述第二有源层在所述基底上的正投影完全重叠;

所述薄膜晶体管还包括:位于源极与所述第二有源层之间、位于所述漏极与所述第二有源层之间的欧姆接触层,其中,所述欧姆接触层仅与所述第二有源层相接触。

2.根据权利要求1所述的显示基板,其特征在于,所述第一有源层的材料为多晶硅;所述第二有源层的材料为非晶硅。

3.一种显示装置,其特征在于,包括权利要求1或2所述的显示基板。

4.一种显示基板的制备方法,其特征在于,包括:

在基底上形成薄膜晶体管的有源层,所述有源层包括第一有源层和第二有源层,所述第一有源层的载流子迁移率大于所述第二有源层的载流子迁移率;

通过一次构图工艺在基底上分别形成数据线和所述薄膜晶体管的源极、漏极;所述第二有源层相对所述第一有源层更靠近所述源极和漏极,且所述源极和所述漏极在所述基底上的正投影落入所述第二有源层的在所述基底上的正投影内;

在形成有所述数据线、源极和漏极的基底上形成绝缘层,并通过构图工艺在所述绝缘层对应所述数据线的位置形成第一过孔,在所述绝缘层对应所述源极的位置形成第二过孔;

通过构图工艺在完成上述步骤的基底上形成连接电极,所述连接电极通过所述第一过孔和所述第二过孔与所述数据线和所述源极电连接。

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