[发明专利]图像传感器在审
申请号: | 201811276365.1 | 申请日: | 2018-10-30 |
公开(公告)号: | CN109728017A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 金升埴;金成瞮;朴海龙 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 张波;翟然 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 一种图像传感器包括:基板,具有第一表面;第一器件隔离区,邻近第一表面且限定单元像素;转移栅,在第一表面上在单元像素的边缘处;光电转换部,在基板中且邻近转移栅的第一侧表面;以及浮置扩散区,在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。 | ||
搜索关键词: | 侧表面 基板 器件隔离区 第一表面 转移栅 图像传感器 邻近 导电性 浮置扩散区 光电转换部 单元像素 限定单元 边缘处 像素 掺杂 | ||
【主权项】:
1.一种图像传感器,包含:基板,具有第一表面;第一器件隔离区,在所述基板中且邻近所述基板的所述第一表面,所述第一器件隔离区限定单元像素;转移栅,在所述基板的所述第一表面上在所述单元像素的边缘处;光电转换部,在所述基板中且邻近所述转移栅的第一侧表面;以及浮置扩散区,在所述基板中且邻近所述转移栅的第二侧表面,所述第二侧表面与所述第一侧表面相反,其中所述第一器件隔离区与所述转移栅的所述第二侧表面间隔开,其中所述基板和所述第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质,以及其中所述第一器件隔离区的第一杂质浓度大于所述基板的第二杂质浓度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的