[发明专利]图像传感器在审

专利信息
申请号: 201811276365.1 申请日: 2018-10-30
公开(公告)号: CN109728017A 公开(公告)日: 2019-05-07
发明(设计)人: 金升埴;金成瞮;朴海龙 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波;翟然
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要:
搜索关键词: 侧表面 基板 器件隔离区 第一表面 转移栅 图像传感器 邻近 导电性 浮置扩散区 光电转换部 单元像素 限定单元 边缘处 像素 掺杂
【权利要求书】:

1.一种图像传感器,包含:

基板,具有第一表面;

第一器件隔离区,在所述基板中且邻近所述基板的所述第一表面,所述第一器件隔离区限定单元像素;

转移栅,在所述基板的所述第一表面上在所述单元像素的边缘处;

光电转换部,在所述基板中且邻近所述转移栅的第一侧表面;以及

浮置扩散区,在所述基板中且邻近所述转移栅的第二侧表面,所述第二侧表面与所述第一侧表面相反,

其中所述第一器件隔离区与所述转移栅的所述第二侧表面间隔开,

其中所述基板和所述第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质,以及

其中所述第一器件隔离区的第一杂质浓度大于所述基板的第二杂质浓度。

2.根据权利要求1所述的图像传感器,其中所述第一器件隔离区与所述浮置扩散区间隔开。

3.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:

第一杂质掺杂区,在所述基板中且交叠所述转移栅,

其中所述第一杂质掺杂区掺杂有具有第一导电性的杂质,以及

其中所述第一杂质掺杂区的第三杂质浓度大于所述基板的所述第二杂质浓度并且小于所述第一器件隔离区的所述第一杂质浓度。

4.根据权利要求3所述的图像传感器,

其中所述光电转换部包括掺杂有具有与所述第一导电性相反的第二导电性的杂质的第一光电转换区,以及

其中所述第一杂质掺杂区延伸到所述第一光电转换区中。

5.根据权利要求4所述的图像传感器,

其中所述光电转换部还包括在所述基板中且邻近所述基板的第二表面的第二光电转换区,以及

其中所述第二光电转换区交叠所述第一光电转换区并且掺杂有具有所述第一导电性的杂质。

6.根据权利要求5所述的图像传感器,

其中所述光电转换部还包括在所述第一光电转换区和所述第二光电转换区之间的第三光电转换区,以及

其中所述第三光电转换区掺杂有具有第二导电性的杂质,

其中所述第三光电转换区的第四杂质浓度小于所述第一光电转换区的第五杂质浓度。

7.根据权利要求3所述的图像传感器,还包括:

第二杂质掺杂区,与所述第一杂质掺杂区间隔开并且从所述浮置扩散区的上侧壁延伸到所述转移栅的一部分下面,

其中所述浮置扩散区和所述第二杂质掺杂区掺杂有具有与所述第一导电性相反的第二导电性的杂质,以及

其中所述第二杂质掺杂区的第六杂质浓度小于所述浮置扩散区的第七杂质浓度。

8.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:

第二器件隔离区,在所述浮置扩散区下面且掺杂有具有所述第一导电性的杂质,

其中所述第二器件隔离区的第八杂质浓度与所述第一器件隔离区的所述第一杂质浓度相同。

9.根据权利要求8所述的图像传感器,其中所述第二器件隔离区接触所述第一器件隔离区。

10.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:

深器件隔离图案,从所述基板的第二表面朝向所述基板的所述第一表面延伸并且交叠所述第一器件隔离区和/或所述浮置扩散区。

11.根据权利要求1所述的图像传感器,还包括:

浅器件隔离图案,从所述基板的所述第一表面朝向所述基板的第二表面延伸并且与所述第一器件隔离区接触。

12.根据权利要求11所述的图像传感器,还包括:

在所述基板中的彼此邻近的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区,

其中所述浅器件隔离图案与所述单元像素间隔开并且设置在所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区之间。

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