[发明专利]图像传感器

说明书

一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，邻近第一表面且限定单元像素；转移栅，在第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面。第二侧表面面对第一侧表面。第一器件隔离区与第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度大于基板的第二杂质浓度。

技术领域

本发明构思涉及一种能够提高电荷转移效率的图像传感器。

背景技术

图像传感器是将光学图像转换成电信号的半导体器件。图像传感器可以分为电荷耦合器件(CCD)型或互补金属氧化物半导体(CMOS)型。CIS(CMOS 图像传感器)指的是CMOS型图像传感器。CIS可以包括多个二维布置的像素。每个像素包括光电二极管(PD)。光电二极管用于将入射光转换成电信号。

发明内容

本发明构思的一些实施方式提供一种能够提高电荷转移效率的图像传感器。

根据本发明构思的一些实施方式，一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，在基板中且邻近基板的第一表面，第一器件隔离区限定单元像素；转移栅，在基板的第一表面上在单元像素的边缘处；光电转换部，在基板中且邻近转移栅的第一侧表面；以及浮置扩散区，在基板中且邻近转移栅的第二侧表面，转移栅的第二侧表面与转移栅的第一侧表面相反。第一器件隔离区可以与转移栅的第二侧表面间隔开。基板和第一器件隔离区可以掺杂有具有第一导电性的杂质。第一器件隔离区的第一杂质浓度可以大于基板的第二杂质浓度。

根据本发明构思的一些实施方式，一种图像传感器可以包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，在基板中且邻近基板的第一表面，第一器件隔离区限定单元像素；子隔离区，在基板中在单元像素上，子隔离区与第一器件隔离区间隔开并且将单元像素分离成第一子像素和第二子像素；第一子转移栅，在第一表面上，邻近第一子像素的第一拐角，第一子像素的第一拐角邻近第二子像素；第二子转移栅，在基板的第一表面上，邻近第二子像素的第二拐角，第二子像素的第二拐角邻近第一子转移栅；以及浮置扩散区，在基板中且邻近第一子转移栅和第二子转移栅。第一器件隔离区和子隔离区与浮置扩散区间隔开。

根据本发明构思的一些实施方式，一种图像传感器包括：基板，具有第一表面；第一器件隔离区，在基板中且邻近基板的第一表面；以及在基板中的彼此间隔开的第一浮置扩散区和第二浮置扩散区，第一和第二浮置扩散区与第一表面相邻。第一器件隔离区可以限定在逆时针方向布置的彼此邻近的第一至第四单元像素。第一浮置扩散区可以位于第一单元像素和第二单元像素之间的边界上。第二浮置扩散区可以位于第三单元像素和第四单元像素之间的边界上。第一和第二浮置扩散区可以彼此电连接。第一器件隔离区可以与第一和第二浮置扩散区间隔开。

附图说明

图1示出显示根据本发明构思的示例实施方式的图像传感器的平面图。

图2示出根据本发明构思的示例实施方式的沿图1的线A-A'截取的剖视图。

图3示出根据本发明构思的示例实施方式的显示图1的一部分的简化平面图。

图4示出平面图，显示了根据本发明构思的示例实施方式的第一器件隔离区与浮置扩散区接触的情形。

图5示出根据本发明构思的示例实施方式的图2的图像传感器的电势与位置的曲线图。

图6示出显示根据本发明构思的示例实施方式的图像传感器的简化平面图。

图7示出根据本发明构思的示例实施方式的沿图6的线B-B'截取的剖面的电势与位置的曲线图。

图8示出电路图，显示了根据本发明构思的示例实施方式的图6的图像传感器。

图9示出详细平面图，显示了根据本发明构思的示例实施方式的图像传感器。