[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201811271215.1 | 申请日： | 2018-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN111106064B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | 王楠 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L27/088 |
| 代理公司： | 上海知锦知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31327 | 代理人： | 高静;李丽 |
| 地址： | 201203 上海市浦东新*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；图形化基底，形成衬底以及位于衬底上多个分立的鳍部，用于形成器件的鳍部为器件鳍部，剩余鳍部为伪鳍部；在鳍部露出的衬底上形成隔离膜，隔离膜露出鳍部顶部；形成隔离膜后，刻蚀伪鳍部，在隔离膜内形成第一开口；在第一开口内填充介电材料层，形成隔离鳍部；形成隔离鳍部后，对隔离膜进行刻蚀处理，刻蚀后的隔离膜作为隔离层；形成隔离层后，形成横跨器件鳍部的栅极结构以及位于栅极结构两侧器件鳍部内的源漏掺杂层。本发明实施例通过隔离鳍部，能够提高隔离层的厚度均一性、降低器件鳍部发生弯曲或倾斜的概率，隔离鳍部还有利于避免相邻器件的源漏掺杂层发生短接的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
