[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201811260510.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109494257B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞;徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基板；位于衬底基板上的栅极；位于衬底基板上的栅绝缘层，覆盖所述栅极；位于栅绝缘层上方的有源层，所述有源层包括第一凸部与第二凸部；位于所述有源层上方的源极、漏极；所述源极与所述第一凸部电连接，所述漏极与所述第二凸部电连接，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域为沟道，通过两次构图工艺制作TFT的源极和漏极，所述沟道通过湿法刻蚀过刻区形成，不仅可使沟道长度缩短，而且可将沟道内AS tail缩减，提升了TFT的电学能及光照稳定性，进而提升了大尺寸面板的充电率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：衬底基板；位于所述衬底基板上的栅极；位于所述衬底基板上的栅绝缘层，覆盖所述栅极；位于所述栅绝缘层上方的有源层，所述有源层包括第一凸部与第二凸部；位于所述有源层上方的源极、漏极；所述源极与所述第一凸部电连接，所述漏极与所述第二凸部电连接，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域为沟道。
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