[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置

说明书

本发明涉及显示技术领域，尤其是涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，该薄膜晶体管包括：衬底基板；位于衬底基板上的栅极；位于衬底基板上的栅绝缘层，覆盖所述栅极；位于栅绝缘层上方的有源层，所述有源层包括第一凸部与第二凸部；位于所述有源层上方的源极、漏极；所述源极与所述第一凸部电连接，所述漏极与所述第二凸部电连接，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域为沟道，通过两次构图工艺制作TFT的源极和漏极，所述沟道通过湿法刻蚀过刻区形成，不仅可使沟道长度缩短，而且可将沟道内AS tail缩减，提升了TFT的电学能及光照稳定性，进而提升了大尺寸面板的充电率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置。

背景技术

在薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid CrystalDisplay)中，薄膜晶体管TFT的功能相当于一个开关管。常用的TFT是三端器件，一般在玻璃基板上制备半导体层，在其两端设置与之相连的源极和漏极，利用施加在栅极上的电压来控制源、漏电极间的电流。

TFT器件工作在线性区，沟道相当于一个电阻，电流和沟道宽长比(W/L)呈正比，为了提升大尺寸面板的充电率，需要沟道的电阻够小才能够满足一定的开态电流和一定的充电率，但是由于像素开口率的限制，沟道宽度W不能过大，所以为了增大开态电流，将沟道长度L缩小成为设计大尺寸面板的趋势，而传统方法由于曝光精度限制而影响良率，所以无法实现大尺寸面板的超短沟道TFT。

现有技术制备薄膜晶体管TFT中，在有源层及源漏极金属层边缘会存在一定差异，将有源层突出源漏极金属层的部分称之为非晶硅尾纤AS tail(Amorphous Silicon tail，简称a-Si tail或AS tail)，目前无法避免会产生AS tail。由于AS tail上部没有金属进行遮光，所以当有光照射到TFT上时，则器件电性会恶化，较明显的是漏电流增加，使得器件无法正常关闭，所以缩减AS tail成为TFT当前设计的主流趋势。

因此，需要提供一种新的薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，来解决上述问题。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置，能够解决如何缩短TFT沟道长度及缩减AS tail的技术问题。

为解决上述问题，本发明提供的技术方案如下：

本发明提供一种薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：

衬底基板；

位于所述衬底基板上的栅极；

位于所述衬底基板上的栅绝缘层，覆盖所述栅极；

位于所述栅绝缘层上方的有源层，所述有源层包括第一凸部与第二凸部；

位于所述有源层上方的源极、漏极；所述源极与所述第一凸部电连接，所述漏极与所述第二凸部电连接，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域为沟道。

在本发明所述的薄膜晶体管中，所述沟道长度小于2μm。

在本发明所述的薄膜晶体管中，所述源极与所述第一凸部的边缘重合，所述漏极与所述第二凸部的边缘重合。

本发明提供一种薄膜晶体管的制备方法，包括以下步骤：

S10：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及第一源漏极金属层；

S20：在所述第一源漏极金属层上形成第一光阻层；

S30：在所述第一源漏极金属层一侧采用所述第一光阻层刻蚀形成过刻区；

S40：在所述第一光阻层与所述有源层表面形成第二源漏极金属层；