[发明专利]一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、显示装置有效
| 申请号： | 201811260510.7 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109494257B | 公开（公告）日： | 2021-01-01 |
| 发明（设计）人： | 朱茂霞;徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 深圳翼盛智成知识产权事务所(普通合伙) 44300 | 代理人： | 黄威 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制造 方法 阵列 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
S10：在衬底基板上依次形成栅极、栅绝缘层、有源层以及第一源漏极金属层；
S20：在所述第一源漏极金属层上形成第一光阻层；
S30：在所述第一源漏极金属层上采用所述第一光阻层刻蚀形成过刻区，采用湿法刻蚀方法对所述第一源漏极金属层进行刻蚀处理，在所述第一光阻层下方形成所述过刻区；
S40：在所述第一光阻层与所述有源层表面形成第二源漏极金属层；
S50：剥离所述第一光阻层；
S60：在所述过刻区及所述第二源漏极金属层上形成第二光阻层；
S70：对所述过刻区及所述第二源漏极金属层采用所述第二光阻层刻蚀形成源极及漏极，所述源极与所述漏极之间对应所述有源层的区域为沟道；
S80：对所述有源层采用所述第二光阻层刻蚀清除所述有源层的两端区域；
S90：剥离所述第二光阻层；
S100：对所述有源层采用所述源极、漏极作为掩膜刻蚀形成分别与所述源极、所述漏极电连接的第一凸部与第二凸部。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S10具体包括以下步骤：
S101：在所述衬底基板上形成所述栅极；
S102：在所述栅极上方形成所述栅绝缘层；
S103：在所述栅绝缘层上形成所述有源层；
S104：在所述有源层上形成所述第一源漏极金属层。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S70中采用湿法刻蚀方法对所述过刻区及所述第二源漏极金属层进行刻蚀处理，形成源极与漏极。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述步骤S80与步骤S100中采用的刻蚀方法为干法刻蚀方法。
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