[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201811258740.X 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109244046A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 吕娇;陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法,所述扇出型天线封装方法中,于重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构,天线结构与重新布线层中的金属布线层电连接,重新布线层凸出于天线结构的侧面;相接的天线结构在水平方向上的投影面积不等,且天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层;半导体芯片及金属凸块结合于重新布线层的第一面上,与金属布线层电连接,且天线结构在水平方向上的投影覆盖半导体芯片及金属凸块。从而形成堆叠设置的具有多层天线结构、高效率天线性能、高整合性的扇出型天线封装结构,且可节约成本、提高生产效率、灵活控制扇出型天线封装结构的体积,扩大扇出型天线封装结构的适用范围。
搜索关键词: 天线封装 天线结构 扇出型 重新布线层 金属布线层 半导体芯片 堆叠设置 金属凸块 投影覆盖 电连接 封装 多层天线结构 高效率天线 灵活控制 生产效率 整合性 两层 投影 侧面 节约
【主权项】:
1.一种扇出型天线封装方法,其特征在于,包括以下步骤:提供支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面;于所述重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构,所述天线结构与所述重新布线层中的金属布线层电连接,所述重新布线层凸出于所述天线结构的侧面;相接的所述天线结构在水平方向上的投影面积不等,且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层;基于所述分离层,显露所述重新布线层的第一面;提供半导体芯片,将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第一面上;于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块;所述半导体芯片及金属凸块与所述金属布线层电连接,且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。
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