[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法

权利要求书

1.一种扇出型天线封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供支撑基底，于所述支撑基底上形成分离层；

于所述分离层上形成重新布线层，所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面；

于所述重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述重新布线层凸出于所述天线结构的侧面；相接的所述天线结构在水平方向上的投影面积不等，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；

基于所述分离层，显露所述重新布线层的第一面；

提供半导体芯片，将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第一面上；于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块；所述半导体芯片及金属凸块与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。

2.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

3.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构包括金属连接柱、封装层及天线金属层。

4.根据权利要求3所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述封装层覆盖所述金属连接柱且显漏所述金属连接柱的上表面，所述天线金属层位于所述封装层的上表面且与所述金属连接柱电连接。

5.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构包括第一天线结构及包覆所述第一天线结构的第二天线结构。

6.根据权利要求5所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述第二天线结构的上方还包括所述第一天线结构或由所述第一天线结构与所述第二天线结构组合形成的循环结构中的一种。

7.根据权利要求5所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述第二天线结构及第一天线结构的截面形貌包括圆形，且所述第二天线结构的直径大于所述第一天线结构的直径的范围包括3mm～30mm。

8.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构自所述重新布线层的第二面向上呈阶梯式减小堆叠设置。

9.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

10.根据权利要求1所述的扇出型天线封装方法，其特征在于：还包括于所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间填充底部填充层的步骤。

11.一种扇出型天线封装结构，其特征在于，所述封装结构包括：

重新布线层，所述重新布线层包括相对的第一面及第二面；

堆叠设置的至少两层天线结构，所述天线结构位于所述重新布线层的第二面上，与所述重新布线层中的金属布线层电连接，所述天线结构的侧面具有同一平面，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层；

半导体芯片及金属凸块，位于所述重新布线层的第一面上，并与所述金属布线层电连接，且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。

12.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构，其中N≥3。

13.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述天线结构的厚度的范围包括50μm～1000μm。

14.根据权利要求11所述的扇出型天线封装结构，其特征在于：所述半导体芯片与所述重新布线层的第一面之间还包括底部填充层。