[发明专利]扇出型天线封装结构及封装方法在审

专利信息
申请号: 201811258740.X 申请日: 2018-10-26
公开(公告)号: CN109244046A 公开(公告)日: 2019-01-18
发明(设计)人: 吕娇;陈彦亨;林正忠 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56;H01L23/498;H01Q1/22
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 天线封装 天线结构 扇出型 重新布线层 金属布线层 半导体芯片 堆叠设置 金属凸块 投影覆盖 电连接 封装 多层天线结构 高效率天线 灵活控制 生产效率 整合性 两层 投影 侧面 节约
【说明书】:

发明提供一种扇出型天线封装结构及封装方法,所述扇出型天线封装方法中,于重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构,天线结构与重新布线层中的金属布线层电连接,重新布线层凸出于天线结构的侧面;相接的天线结构在水平方向上的投影面积不等,且天线结构在水平方向上的投影覆盖金属布线层;半导体芯片及金属凸块结合于重新布线层的第一面上,与金属布线层电连接,且天线结构在水平方向上的投影覆盖半导体芯片及金属凸块。从而形成堆叠设置的具有多层天线结构、高效率天线性能、高整合性的扇出型天线封装结构,且可节约成本、提高生产效率、灵活控制扇出型天线封装结构的体积,扩大扇出型天线封装结构的适用范围。

技术领域

本发明属于半导体封装技术领域,涉及一种扇出型天线封装结构及封装方法。

背景技术

更低成本、更可靠、更快及更高密度的电路是集成电路封装追求的目标。在未来,集成电路封装将通过不断减小特征尺寸来提高各种电子元器件的集成密度。目前,常用的封装方法包括:晶圆级芯片规模封装(Wafer Level Chip Scale Packaging,WLCSP),扇出型晶圆级封装(Fan-Out Wafer Level Package,FOWLP),倒装芯片(Flip Chip),叠层封装(Package on Package,POP)等等。其中,FOWLP由于其输入/输出端口(I/O)较多、集成灵活性较好,已成为目前较为常用的封装方法之一。

随着高科技电子产品的普及以及人们需求的增加,特别是为了配合移动的需求,大多高科技电子产品都增加了无线通讯的功能。

一般来说,现有的天线结构通常是将天线直接制作于电路板的表面,这种做法会让天线占据额外的电路板面积,整合性较差。对于各种高科技电子产品而言,若将天线直接制作于电路板的表面,将需要具有较大体积的电路板,从而使得高科技电子产品也占据较大的体积,这与人们对高科技电子产品的小型化、便捷式的需求相违背,因此,如何减小天线封装结构的体积及提高天线封装结构的整合性能,将是这些电子装置所需克服的问题。

鉴于此,有必要设计一种新型的扇出型天线封装结构及封装方法,用于解决由于天线封装结构占据体积大、整合性较差,所引起的上述技术问题。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点,本发明的目的在于提供一种扇出型天线封装结构及封装方法,用于解决现有技术中天线封装结构的封装问题。

为实现上述目的及其他相关目的,本发明提供一种扇出型天线封装方法,包括以下步骤:

提供支撑基底,于所述支撑基底上形成分离层;

于所述分离层上形成重新布线层,所述重新布线层包括与所述分离层相接触的第一面及相对的第二面;

于所述重新布线层的第二面上形成堆叠设置的至少两层天线结构,所述天线结构与所述重新布线层中的金属布线层电连接,所述重新布线层凸出于所述天线结构的侧面;相接的所述天线结构在水平方向上的投影面积不等,且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述金属布线层;

基于所述分离层,显露所述重新布线层的第一面;

提供半导体芯片,将所述半导体芯片接合于所述重新布线层的第一面上;于所述重新布线层的第一面上形成金属凸块;所述半导体芯片及金属凸块与所述金属布线层电连接,且所述天线结构在水平方向上的投影覆盖所述半导体芯片及金属凸块。

可选地,所述重新布线层的第二面上包括堆叠设置的N层所述天线结构,其中N≥3。

可选地,所述天线结构包括金属连接柱、封装层及天线金属层。

可选地,所述封装层覆盖所述金属连接柱且显漏所述金属连接柱的上表面,所述天线金属层位于所述封装层的上表面且与所述金属连接柱电连接。

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