[发明专利]一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811255509.5 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109180221B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈常连;梁欣;周诗聪;季家友;黄志良;徐慢 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;陈振玉 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，首先将氮化硅粉末和碳化硅粉末按照适当比例混合，添加无水乙醇在研砵中研磨，经清洗、干燥后将粉体装入匣钵中真空烧结，烧结温度为1900℃以上，保温时间为1h。本发明方法涉及的条件可控、操作简便、反应条件温和，所得碳化硅薄膜面积大且具有优异的稳定性，使得石墨模具寿命大大提高，为玻璃加热石墨模板改性技术提供了一条新途径，具有重要的经济和工程价值。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 模板 大面积 沉积 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将氮化硅粉末和碳化硅粉末按质量比混合；2)将步骤1)处理所得粉体加入无水乙醇清洗、干燥；3)将步骤2)处理所得粉体装入匣钵，盖上石墨基片，进行真空烧结，得石墨基片。
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