[发明专利]一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201811255509.5 | 申请日： | 2018-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN109180221B | 公开（公告）日： | 2021-06-11 |
| 发明（设计）人： | 陈常连;梁欣;周诗聪;季家友;黄志良;徐慢 | 申请（专利权）人： | 武汉工程大学 |
| 主分类号： | C04B41/87 | 分类号： | C04B41/87 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;陈振玉 |
| 地址： | 430000 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 石墨 模板 大面积 沉积 碳化硅 薄膜 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将氮化硅粉末和碳化硅粉末按质量比混合，所述氮化硅粉体和所述碳化硅粉体的质量比范围为1：0.11～1：0.25；
2）将步骤1）处理所得粉体加入无水乙醇清洗、干燥；
3）将步骤2）处理所得粉体装入匣钵，盖上石墨基片，进行真空烧结，蒸镀温度为1950～2100℃，保温0.5～1.5h，得石墨基片。
2.根据权利要求1所述的在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述氮化硅和所述碳化硅粉体的粒径为0.4～0.6μm。
3.根据权利要求1所述的在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述真空烧结的烧结条件为氩气氛围。
4.根据权利要求1所述的在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法，其特征在于，所述石墨基片上沉积的碳化硅薄膜膜厚为100μm～300μm。
5.一种根据权利要求1-4任一所述的在石墨模板上大面积沉积碳化硅薄膜的制备方法制备得到的石墨模板。
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