[发明专利]一种静电消除装置及减少晶圆表面的静电残留的方法在审
| 申请号： | 201811246090.7 | 申请日： | 2018-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109451642A | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 宋箭叶 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H05F3/06 | 分类号： | H05F3/06 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种静电消除装置及减少晶圆表面的静电残留的方法，用于消除晶圆表面的静电残留，所述静电消除装置包括静电消除单元和容置单元，所述容置单元的内部具有一用于容置所述晶圆的容置腔，所述容置单元开设有至少一个与所述容置腔相连通的开口，所述静电消除单元固定连接于所述容置腔中，所述静电消除单元用于在非真空环境下提供电离的正负离子对所述晶圆进行静电消除，通过静电消除单元电离形成的正负电荷离子中和所述晶圆表面残留的静电，达到消除晶圆表面残留的静电的目的，有效防止晶圆表面的静电残留对后续制程的影响，从而提高了产品良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆表面 静电 静电消除单元 残留 静电消除装置 容置单元 容置腔 电离 晶圆 非真空环境 产品良率 静电消除 离子中和 正负电荷 正负离子 容置 制程 开口 | ||
【主权项】：
1.一种静电消除装置，用于消除晶圆表面的静电残留，其特征在于，所述静电消除装置包括静电消除单元和容置单元，所述容置单元的内部具有一用于容置所述晶圆的容置腔，所述容置单元开设有至少一个与所述容置腔相连通的开口，所述静电消除单元固定连接于所述容置腔中，所述静电消除单元用于在非真空环境下提供电离的正负离子对所述晶圆进行静电消除。
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