[发明专利]单晶硅片的制绒方法

摘要

本发明提供了一种单晶硅片的制绒方法，主要包括：将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内，再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液，进行刻蚀反应；再将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出，依次进行高温清洗与低温清洗；低温清洗后的单晶硅片再进行分片；并经后续清洗与干燥，得到一面具有金字塔状绒面结构的单晶硅片。该制绒方法中高温清洗过程中，高温清洗液可促使贴合在一起的单晶硅片分离，有效清洗单晶硅片间的残留药液及反应产物；低温清洗时，两两一组的单晶硅片相互贴合，以使得两两一组的两片单晶硅片之间留存一定水分，即使得两两一组的单晶硅片实现“外干内湿”的效果，利于分片。

主权项

1.一种单晶硅片的制绒方法，其特征在于：将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内，再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液，进行刻蚀反应；将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出，进行高温清洗，高温清洗液的温度设置为不低于40℃；再将完成高温清洗的单晶硅片放入低温清洗液进行低温清洗；将低温清洗后的单晶硅片进行分片。