[发明专利]单晶硅片的制绒方法

说明书

本发明提供了一种单晶硅片的制绒方法，主要包括：将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内，再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液，进行刻蚀反应；再将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出，依次进行高温清洗与低温清洗；低温清洗后的单晶硅片再进行分片；并经后续清洗与干燥，得到一面具有金字塔状绒面结构的单晶硅片。该制绒方法中高温清洗过程中，高温清洗液可促使贴合在一起的单晶硅片分离，有效清洗单晶硅片间的残留药液及反应产物；低温清洗时，两两一组的单晶硅片相互贴合，以使得两两一组的两片单晶硅片之间留存一定水分，即使得两两一组的单晶硅片实现“外干内湿”的效果，利于分片。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，特别涉及一种单晶硅片的制绒方法。

背景技术

硅电池仍是日前应用最为广泛的一种太阳能电池，缘于硅在地壳中有着极为丰富的储量，且相比其他类型的太阳能电池，硅电池具有优异的电学性能和机械性能，而如何降低硅电池的生产成本、提高硅电池转换效率则是业内持续关注的研究重点。就单晶硅电池而言，通常采用碱性化学溶液对硅片表面进行各向异性刻蚀，在单晶硅片表面形成金字塔状的绒面结构，降低太阳光在单晶硅片表面的反射以降低反射损失。

传统单晶硅片多采用双面制绒工艺，即在单晶硅片的两侧表面均反应形成有绒面结构。但双面制绒的硅片表面刻蚀量较大，厚度减小更明显，且反应液耗量较大；另一方面，硅片背表面的绒面结构可能影响背电场与背电极与硅片间的欧姆接触，进而影响相应电池片的电性参数。基于此，业内现公开有硅片的单面制绒工艺，将待制绒的硅片两两一组相互贴靠在一起并放入相应花篮的卡槽中进行制绒，且在制绒反应完成后再进行分片清洗，得到单面制绒的硅片。采用上述单面制绒工艺，单晶硅片在刻蚀反应后的分片过程中，由于硅片之间摩擦力较大，会出现分片困难，或导致碎片率上升。

鉴于此，有必要提供一种新的单晶硅片的制绒方法。

发明内容

本发明目的在于提供一种单晶硅片的制绒方法，能够有效清洗两两一组的单晶硅片间的残留药液与反应产物，且利于分片。

为实现上述发明目的，本发明提供一种单晶硅片的制绒方法，包括：

将单晶硅片两两相并成一组插入花篮内，再将盛载有单晶硅片的花篮放入制绒液，进行刻蚀反应；

将刻蚀完成的单晶硅片与花篮取出，进行高温清洗，高温清洗液的温度设置为不低于40℃；

再将完成高温清洗的单晶硅片放入低温清洗液进行低温清洗；

将低温清洗后的单晶硅片进行分片。

作为本发明的进一步改进，所述高温清洗液的温度设置为40℃～80℃。

作为本发明的进一步改进，刻蚀完成的单晶硅片在高温清洗液中的清洗时间设置为50～200s。

作为本发明的进一步改进，所述制绒方法还包括将刻蚀完成的单晶硅片放入HF溶液进行酸洗后再进行高温清洗。

作为本发明的进一步改进，所述HF溶液的质量浓度设置为2％～8％；酸洗温度设置为35～50℃。

作为本发明的进一步改进，将低温清洗后的单晶硅片进行分片，再将分片后的单晶硅片放入酸溶液进行酸溶液清洗，所述酸溶液为HF与HCl的混合溶液。

作为本发明的进一步改进，所述酸溶液清洗步骤包括将分片后的单晶硅片依次放入质量浓度为5％～8％的HF溶液、质量浓度为5％～8％的HCl溶液进行清洗。

作为本发明的进一步改进，所述制绒方法还包括在将分片后的单晶硅片进行酸溶液中清洗前，先将分片后的单晶硅片放入碱溶液中进行碱溶液清洗。